Video: Intel-CEO zeigt ersten 22-Nanometer-Wafer mit SRAM-Speicher

Auf einer Grundfläche von der Größe eines Fingernagels sind 2,9 Milliarden Transistoren untergebracht. Die neue Fertigungstechnik soll eine höhere Performance und geringere Leckströme ermöglichen. Erste Chips erscheinen 2011.

von Björn Greif am 23. September 2009 , 15:17 Uhr

Intel-CEO Paul Otellini hat während seiner Eröffnungsrede auf dem Intel Developer Forum 2009 (IDF) in San Francisco den ersten 22-Nanometer-Wafer mit funktionierenden SRAM-Speicherzellen präsentiert. Auf einer Grundfläche von der Größe eines Fingernagels finden 2,9 Milliarden Transistoren Platz.

Beim 22-Nanometer-Fertigungsprozess kommt die dritte Generation der High-K-Metal-Gate-Technik zum Einsatz, die für weitere Leistungssteigerungen und verringerte Leckströme sorgen soll. Darauf basierende Chips will Intel Ende 2011 auf den Markt bringen.

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