USA wollen Nanotechnologie anschieben

Gesetzesentwurf schlägt "National Nanotechnology Research Program" im Wert von 500 Millionen Dollar vor

Wenn es nach dem Willen von Senator Ron Wyden (Demokraten) aus Oregon geht, dann wird die US-Regierung der Entwicklung der Nanotechnologie massiv Beine machen. In einem Gesetzesentwurf schlägt er die Errichtung eines „National Nanotechnology Research Program“ vor, in das der Staat 446 Millionen Dollar schießen soll. Der Entwurf liegt Cnet/ZDNet vor.

Bereits früher hatte sich Präsident George W. Bush in ähnlicher Weise geäußert. Wydens Vorschläge decken sich für das erste Jahr im Bezug auf die Ausgaben mit den Zahlen von Bush, im zweiten Jahr liegen sie 15 Prozent darüber. „Senator Wyden hat das Gefühl, die Nanotechnologie-Revolution zu verpassen wäre wie das Auslassen der Computer-Revolution“, erklärte Wydens Sprecherin Carol Guthrie. „Es handelt sich um ein Feld mit geradezu unbegrenzten Möglichkeiten, und Amerika muss dabei an vorderster Front stehen.“

„Nanotechnologie ist oft als die Wissenschaft bezeichnet worden, die Strukturen von atomarer Größe bis zu circa 100 Nanometern produziert, charakterisiert und einsetzt“, erklärte Marc Van Rossum, Leiter der Abteilung für fortgeschrittene Werkstoffe und Forschung in Nanoelektronik des belgischen FuE-Instituts für Mikroelektronik, IMEC. Rossum ist einer der Wissenschaftler, die von der EU ins Rennen in den Mikrokosmos geschickt wurden. Er arbeitet aber auch eng mit dem US-Konzern IBM (Börse Frankfurt: IBM) zusammen. Am Start sind im Prinzip alle technologisch fortgeschrittenen Regionen der Erde, allen voran aber die Chipindustrien in den USA, Europa und Asien.

Von Intel (Börse Frankfurt: INL) wird für diese Woche noch eine detaillierte Präsentation eines molekularen Tri Gate-Transistors erwartet. AMD (Börse Frankfurt: AMD) und IBM hatten erst vor wenigen Tagen unabhängig voneinander von Double Gate-Transistor mit rund zehn Nanometern berichtet. Damit hätten nach Angaben von AMD etwa 100 Millionen solcher Transistoren auf einem einzigen Chip Platz. Ein von beiden Firmen so genannter „Fin Field Effect-Transistor“ (Fin-Fet) stütze sich auf eine vertikale Siliziumschicht, die im „Aus“-Modus das Entweichen von Energie verhindern soll. Laut dem Intel-Manager werde man eine ähnliche Methode einsetzen. Einen Prototyp des Tri Gate werde man in der kommenden Woche in Japan vorstellen. Dann liefere man auch aussagefähige Details. Intel will die Suppe offenbar noch etwas am kochen halten.

Die Chipindustrie, nicht zuletzt Intel, betrachtet den Einsatz von Nanotechnologie als weiteren Schritt im Zuge der Erfüllung von Moore’s Law. Dieses besagte in der ursprünglichen Fassung, dass sich die Anzahl der Transistoren auf einem Siliziumchip jährlich verdoppelt. 35 Jahre nach seiner Formulierung durch Intel-Mitbegründer Gordon Moore hat das Gesetz immer noch seine Gültigkeit (er korrigierte die Zeitangabe von einem Jahr auf 18 bis 24 Monate).

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