IBM stellt dynamische On-Chip-Halbleitertechnologie vor

IBM hat auf der International Solid State Circuits Conference (ISSCC) eine neuartige dynamische On-Chip-Speichertechnologie vorgestellt. Dem Hersteller zufolge ermöglicht sie schnellere Zugriffzeiten als alle bisherigen Embedded-Dynamic-Random-Access-Memory-Lösungen (EDRAM). Die Halbleiterspeicher, die in IBMs künftige 45-Nanometer-Prozessoren integriert werden, sollen voraussichtlich ab 2008 verfügbar sein.

Der neue EDRAM-Chip mit einer Latenzzeit von 1,5 Nanosekunden wurde mithilfe von IBMs Silicon-on-Insulator-Verfahren (SOI) entwickelt und soll die Mikroprozessorleistung von Mehrkern-Designs erheblich verbessern. Zudem steigert er laut IBM sowohl die Grafik- als auch die Netzwerkperformance sowie bildintensive Multimedia-Anwendungen. Dabei benötigt der 0,126 Quadratmillimeter kleine Chip nur ein Drittel des Platzes und ein Fünftel der Standby-Energie herkömmlicher SRAM-Bausteine.

„Mit der neuen On-Chip-Hauptspeichertechnik verbessert IBM die Mikroprozessorleistung über das hinaus, was mit klassischer Skalierung allein machbar gewesen wäre“, sagte Subramanian Iyer, Direktor der 45-Nanometer-Technologie-Entwicklung bei IBM. „Seitdem Halbleiterkomponenten die Größenordnung von Atomen erreicht haben, hat die Entwicklung neuer Chip-Designs die Materialforschung als Schlüsselfaktor für die Fortführung von Moores Gesetz abgelöst.“

IBMs neuer EDRAM-Chip wird voraussichtlich Anfang nächsten Jahres verfügbar sein (Bild: IBM).