IBM und AMD melden Durchbruch bei Strained Silicon

Eine neue Version von Strained Silicon soll die Transistoren von IBM- und AMD-CPUs um 24 Prozent schneller machen. Dies wollen die beiden Unternehmen heute offiziell bekannt geben. Die Ausbeute bei der Fertigung soll dadurch nicht negativ beeinflusst werden.

Chips mit der als „Dual Stress Liners“ (DSL) bezeichneten Technologie werden bereits verkauft. So ist der noch im 130-Nanometer-Verfahren gefertigte AMD Athlon 64 FX bereits unter Verwendung von DSL hergestellt worden. Im 90-Nanometer-Herstellungsprozess soll das Verfahren sowohl bei AMD als auch IBM erst Anfang 2005 zum Einsatz kommen.

Bei Strained Silicon werden Atome in einer Siliziumschicht so angeordnet, dass Elektronen von einem zum anderen Ende eines Transistors schneller fließen können. Dadurch verkürzen sich die Umschaltzeiten und die Hitzeentwicklung sinkt. DSL soll die Performance von n- und p-Channel-Transistoren verbessern und ohne größere Modifikationen des Herstellungsprozesses eingesetzt werden können.

Intel nutzt bei seinem 90-Nanometer-Verfahren bereits Strained Silicon, will Ende 2005 mit dem 65-Nanometer-Prozess aber auch eine Version mit weiter verbesserten Eigenschaften einführen. Der AMD-Konkurrent erwartet bis zu 30 Prozent schnellere Transistoren.