IDF: Intel stößt mit neuen Chips in den Nano-Bereich vor

Sunlin Chou eröffnet die Diskussion neuer Fertigungstechniken für künftige Pentiums

Intel (Börse Frankfurt: INL) will auf seinem Intel Developer Forum (IDF) in San Jose, Kalifornien, in neue Dimensionen vorstoßen: Sunlin Chou, Manager der Technology and Manufacturing Group, hat die Vorstellung der Nanotechnologie-Pläne des Konzerns versprochen. Kommende Generationen von Pentiums werden Elemente beherbergen, die es noch nicht einmal auf 100 Nanometer bringen sollen.

Chou wird voraussichtlich sowohl die bekannten Fakten Revue passieren lassen als auch vergleichsweise neue Ideen präsentieren: Multigate-Transistoren und Nano-Leiter aus Kohlenstoff. Letzterer kommt voraussichtlich im kommenden Jahr zum Einsatz, wenn der Pentium 4-Nachfolger Prescott in 90 Nanometer-Herstellungsverfahren gefertigt wird. Laut Intel werden dabei mit Kohlenstoff dotierte Oxide (CDO) als dielektrisches Material eingesetzt (ZDNet berichtete). „Das Verfahren ermöglicht es, Elektrizität genauso wie heute schon üblich zu leiten, allerdings in unvorstellbar kleinen Dimensionen“, erläuterte Peter Glaskowsky, Chef des „Microprocessor Reports“. „Der erste, der diese Technik in die Realität umsetzen kann, wird definitiv ein Milliardär.“

Das Multigate-Verfahren wurde bereits Ende vergangenen Jahres ansatzweise von IBM (Börse Frankfurt: IBM) publik gemacht: Auf der International Electronic Device Manufactures Conference (IEDM) in Washington D.C. stellte der Konzern eine neue Art von Transistor vor, die mit „Double-Gate“-Transistoren arbeiten. Sie bieten zwei Gates, mit denen die doppelte Menge an Arbeit verrichtet werden können soll. Dabei seien die Chips kleiner als heute gebräuchliche Prozessoren. Basis der neuen Technik ist laut IBM die Silicon-On-Insulator (SOI)-Technologie, die erst die Umstellung der CPU-Fertigung auf CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductors) ermöglicht habe. „Die neuen Transistoren eignen sich für extrem leistungsfähige Microchips, die gleichzeitig kaum Strom verbrauchen“, bestätigte damals der IBM-Manager Bijan Davari. Man habe bereits erste Exemplare gefertigt, auf breiter Front sollen die Double Gate-Transistoren jedoch erst 2006 zum Einsatz kommen.

Bislang ist zum Thema Intel und die Nanotechnologie bekannt, dass Intel einen Silizium-Transistor, der sich bis zu 1000-mal schneller an- und abschalten kann als herkömmliche Bauteile (Börse Frankfurt: INL), entwickelt hat. Das berichteten Vertreter des Konzerns im Juni vergangenen Jahres auf einer Nanotechnologie-Konferenz in Kyoto, Japan (ZDNet berichtete). Gleichzeitig ist die Lösung gerade noch 80 Atome breit, erklärte der Intel-Manager Gerald Marcyk damals. Damit könnten bis zu 25-mal mehr Transistoren auf der Fläche des aktuellen Pentium 4-Prozessors untergebracht werden. Ab dem Jahr 2007 soll die neue Technologie Eingang in den Produktionsprozess finden. Die superschnellen Transistoren sind gerade einmal 20 Nanometer groß, einzelne Komponenten bringen es auf nur drei Atome.

Intel betrachtet den Einsatz von Nanotechnologie als weiteren Schritt im Zuge der Erfüllung von Moore’s Law. Dieses besagte in der ursprünglichen Fassung, dass sich die Anzahl der Transistoren auf einem Siliziumchip jährlich verdoppelt. 35 Jahre nach seiner Formulierung durch Intel-Mitbegründer Gordon Moore hat das Gesetz immer noch seine Gültigkeit (er korrigierte die Zeitangabe von einem Jahr auf 18 bis 24 Monate).

Kontakt: Intel, Tel.: 089/9914303 (günstigsten Tarif anzeigen)

Themenseiten: Hardware

Fanden Sie diesen Artikel nützlich?
Content Loading ...
Whitepaper

ZDNet für mobile Geräte
ZDNet-App für Android herunterladen Lesen Sie ZDNet-Artikel in Google Currents ZDNet-App für iOS

Artikel empfehlen:

Neueste Kommentare 

Noch keine Kommentare zu IDF: Intel stößt mit neuen Chips in den Nano-Bereich vor

Kommentar hinzufügen

Schreibe einen Kommentar

Deine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind markiert *