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Samsung startet Massenfertigung von V-Nand-Speicher mit 96 Layern

Samsung hat mit der Massenproduktion von V-Nand-Speichern der fünften Generation mit der derzeit höchsten Datenübertragungsrate begonnen. In der industrieweit ersten Nutzung der ‘Toggle DDR 4.0’-Schnittstelle steigt die Performance bei der Übertragung von Daten vom Storage zum Speicher über Samsungs neuen 256-Gigabit-V-Nand-Speicher gegenüber dem 64-schichtigen Vorgänger um 40 Prozent auf 1,4 Gbit/s.

Trotz der höheren Leistung bleibt laut Samsung die Energieeffizienz vergleichbar mit den 64-schichtigen Chips. Primär sei dies auf reine reduzierte Versorgungsspannung von 1,8 auf 1,2 Volt zurückzuführen. Die neuen V-Nand-Speicher weisen mit aktuell 500-Mikrosekunden (μs) auch die kürzeste Datenschreibzeit auf, was gegenüber der bisherigen Generation einer Verbesserung um etwa 30 Prozent entspricht. Die Reaktionszeit auf Lesesignale konnte wesentlich auf 50μs gesenkt werden.

Samsungs V-Nand-Speicher der fünften Generation enthalten über 90 Schichten mit CTF-Zellen (Charge Trap Flash) – branchenweit liegen die Koreaner eigenen Aussagen zufolge damit an der Spitze –, die pyramidenförmig mit vertikal durchgebohrten, mikroskopisch kleinen Kanallöchern aufeinander gestapelt sind. Die Kanallöcher sind nur wenige hundert Nanometer (nm) groß und enthalten mehr als 85 Milliarden CTF-Zellen, die jeweils 3 Bit Daten speichern können.

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Aufgrund von Verbesserungen im Atomlagenabscheidungsprozess (ALD) konnte Samsung die Fertigungsproduktivität um über 30 Prozent steigern. Die hochwertige Technik ermöglicht, die Höhe jeder Zellenlage (Cell Layer) um 20 Prozent zu reduzieren, was Übersprechen zwischen Zellen verhindert und die Effizienz der Chips bei der Datenverarbeitung erhöht.

“Unsere V-Nand-Produkte und –Lösungen der fünften Generation liefern das fortschrittlichste Nand auf dem schnell wachsenden Markt für Premium-Memory”, sagt Kye Hyun Kyung, Executive Vice President of Flash Product and Technology bei Samsung Electronics. “Zusätzlich zu den heute angekündigten Fortschritten auf höchstem Niveau bereiten wir die Einführung von 1-Terabit- und QLC-Angeboten (Quad-Level Cell) in unser V-Nand-Angebot vor, die dem weltweiten Markt für Nand-Speicherlösungen der nächsten Generation neue Dynamik verleihen.“

Samsung Flash-Speicher, den das Unternehmen auch in NVMe-SSDs verwendet, zählt schon bisher zu dem schnellsten, was der Markt liefern kann. Mit Western Digital steht nun allerdings ein Mitbewerber bereit, der ähnlich schnelle NVMe-SSDs liefern kann.

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