Samsung kündigt 4-TByte-SSD mit QLC-NAND-Flash für Consumer an

von Stefan Beiersmann

Sie kommen mit Kapazitäten von 1, 2 und 4 TByte in den Handel. Die neuen SSDs basieren auf 4-Bit-V-NAND-Flash-Chips mit einer Kapazität von einem Terabit. Samsung will diese Chips auch für Speicherkarten und Enterprise-SSDs verwenden. weiter

Veeam und Pure Storage integrieren Lösungen

von Martin Schindler

Es basiert auf der neuen Veeam Universal Storage API, die eine Schnittstelle für die Availability Platform für Speicher-Anbieter bereitstellt. Mit dem Veeam Explorer für Storage Snapshots können auch einzelne Objekte oder komplette VMs aus den Pure Storage Snapshots hergestellt werden. weiter

Samsung steigert Jahresgewinn auf 42 Milliarden Euro

von Stefan Beiersmann

Das entspricht einem Wachstum von 23,5 Prozent. Beim Jahresumsatz erzielt Samsung ein Plus von 19 Prozent. Wichtigster Wachstumsmotor ist auch im Dezemberquartal die Halbleitersparte mit einem Umsatzplus von 42 Prozent. weiter

Samsung stellt 512 GByte großen eUFS-Speicher für Smartphones vor

von Stefan Beiersmann

Er besteht aus 64-lagigem VNAND-Flash-Speicher mit einer Kapazität von 512 GBit. Die neuen Chips erreichen eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu 860 MByte pro Sekunde. Mit bis zu 42.000 IOPS sind die Chips zudem 400-mal leistungsfähiger als eine SD-Speicherkarte. weiter

Samsung bringt eUFS mit 850 MByte/s ins Auto

von Nico Ernst

Basierend auf einem aktualisierten JEDEC-Standard hat Samsung neue Flash-Bausteine entwickelt. Sie bringen nicht nur mehr Leistung als Embedded-MMCs, sondern auch Protokolle zur Fehlerkorrektur, was beim autonomen Fahren Sicherheit verspricht. weiter

Apple an Toshibas Speicher-Sparte interessiert

von Bernd Kling

Der iPhone-Hersteller beteiligt sich laut Bloomberg mit 3 Milliarden Dollar am Gebot von Bain Capital für die Sparte. Weitere finanzielle Unterstützer sind Dell, Seagate und SK Hynix. Apple will für sich die fortlaufende Belieferung mit Flash-Speicher sichern, um nicht vom Rivalen Samsung abhängig zu werden. weiter

Toshiba kündigt Low-Power-NVMe-SSD BG3 an

von Stefan Beiersmann

Sie ist für den Einsatz in Notebooks und Tablets gedacht. Die BG3-Serie bietet Toshiba mit Kapazitäten von 128, 256 und 512 GByte an. Die SSD ist als BGA-Modul oder austauschbar als M.2-2230-Modul erhältlich. weiter

Samsung startet Massenproduktion in neuer Fab

von Bernd Kling

Im neuen Werk soll vor allem V-NAND-Flash-Speicher mit 64 Schichten vom Band laufen. Samsung Electronics reagiert auf die steigende weltweite Nachfrage nach Halbleiterchips und kündigt weitere Milliardeninvestitionen in Südkorea und China an. weiter

V-NAND mit 64 Schichten: Samsung beginnt Serienfertigung

von Bernd Kling

Schon zum Jahresende will der koreanische Hersteller mehr als die Hälfte von NAND-Flash als neue V4-Generation produzieren. Der neue Speicher ist für Server, PC und Mobilgeräte vorgesehen. Samsung verspricht 30 Prozent mehr Energieeffizienz und um 20 Prozent zuverlässigere Zellen. weiter

NetApp setzt auf Toshiba-SSDs

von Anja Schmoll-Trautmann

Die SATA-SSD-Serie HK4 von Toshiba, die für Rechenzentrumsanwendungen optimiert ist, soll bei NetApp künftig in einer unverschlüsselten Version zum Einsatz kommen und das SolidFire All-Flash-Array-Portfolio erweitern. Der Einsatz soll dem Unternehmen den Zugang zu neuen Märkten und Anwendungen öffnen. weiter