MIT-Ingenieure präsentieren neue Transistor-Technik

Indium-Gallium-Arsenid-Transistoren bringen zweieinhalb Mal mehr Leistung als Siliziummodelle

Ingenieure des Instituts für Technologie an der Universität von Massachusetts (MIT) haben eine Transistor-Technik vorgestellt, die einen neuen Entwicklungsschritt im Bereich der Kleinstelektronik einleiten soll. Die Microsystems Technology Laboratories (MTL) der MIT präsentierten Transistoren aus Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs), welche zweieinhalb Mal besser leiten als die neuesten Siliziummodelle.

Den MIT-Wissenschaftlern zufolge stoßen herkömmliche Siliziumtransistoren, die beispielsweise in Mobiltelefonen oder Mediaplayern eingesetzt werden, in den nächsten zehn bis 15 Jahren an die Grenzen ihrer Größe und Leistungsfähigkeit. Daher erforschen die MTL-Wissenschaftler Materialien, welche die Leitfähigkeit von Silizium übertreffen, um kleinere und schnellere Geräte entwickeln zu können.

„Jeder Mensch nutzt täglich Milliarden von Transistoren in Telefonen, Notebooks, Autos, Küchengeräten und mehr“, sagte Jesus del Alamo, Mitglied des MTL. „Wir suchen nach Halbleitermaterialien für Transistoren, welche eine Leistungsverbesserung ermöglichen, während die Geräte immer kleiner werden.“

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