Fujitsu und Toshiba: Nach DRAM kommt FCRAM

Neue Speichertechnik ist dreimal so schnell wie DRAM

Fujitsu und Toshiba wollen zusammen High-Speed-Memory-Chips der nächsten Generation entwickeln. Die neue Technik wird Fast-Cycle Random Access Memory (FCRAM) heißen.
FCRAMs würden zwei- bis dreimal schneller laufen als herkömmliche DRAMs (Dynamic Random-Access Memories), teilten die beiden Unternehmen in einer gemeinsamen Presseerklärung mit. Geplant seien 64-, 128- und 256-MBit-FCRAMs, die ausschließlich im Nicht-PC-Bereich zum Einsatz kommen sollen.
Die neuen Chips sollen in Personal Digital Assistants (PDAs), Druckern, Set-top-Boxen und anderen Multi-Media-Devices Verwendung finden.
Ende dieses Jahres sollen die ersten Test-Speicherbausteine ausgeliefert werden, im ersten Quartal 2000 könnte dann die Massenproduktion von 64-Mbit-FCRAMs beginnen. Im zweiten Quartal 2000 folgen dann die 128- und 256-MBit-Versionen.
Kontakt: Fujitsu, Tel.: 06172/1880; Toshiba Europe, Tel.: 02131/1580

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