Infineon und Micron entwickeln RLDRAMs

Speicher mit reduzierter Zugriffszeit soll in Switches, Routern und anderen Anwendungen eingesetzt werden

Infineon Technologies (Börse Frankfurt: IFX) und Micron Technology (Börse Frankfurt: MTE) wollen gemeinsam eine DRAM-Familie mit reduzierter Latenzzeit (Reduced Latency DRAM, RLDRAM) entwickeln und haben dazu ein Abkommen unterzeichnet. Die neue Familie von Speicherbausteinen soll mehrere Generationen von DRAMs umfassen und speziell für den Einsatz in Switches, Routern und anderen Anwendungen entwickelt werden, die besonders schnelle Speicherzugriffszeiten erfordern.

Die neuen Speicherbausteine sollen anfangs bei Datenraten bis zu 600 MBit/s/Pin arbeiten und zudem eine Latenzzeit bieten, die im Vergleich mit anderen Architekturen deutlich geringer ist. Die interne Speicherarchitektur werde einen extrem schnellen wahlfreien Zugriff ermöglichen, der die Lücke zwischen dynamischen und statischen RAMs schließen soll. Beide Unternehmen beabsichtigen, das RLDRAM zum Industriestandard für Hochleistungs-Speicherbausteine zu machen.

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