Samsung fertigt 1 TByte großen eUFS-Speicher für Smartphones

Er basiert auf Samsungs 512-Gbit-V-NAND-Flash. Dank eUFS 2.1 erreicht der neue Chip eine Lesegeschwindigkeit von bis zu einem Gigabyte pro Sekunde. Der Chip erlaubt zudem kontinuierliche Super-Zeitlupenaufnahmen mit 960 Bildern pro Sekunde.

Samsung ist nach eigenen Angaben der erste Hersteller weltweit, der einen eUFS-Speicherchip (Embedded Universal Storage) mit einer Kapazität von einem Terabyte anbietet. In dem Chip steckt Samsungs hauseigener V-Nand-Flash-Speicher sowie ein ebenfalls selbst entwickelter Controller. Mit einer Lesegeschwindigkeit von bis zu einem Gigabyte pro Sekunde soll der eUFS-Speicher zudem rund doppelt so schnell sein wie eine SATA-SSD.

Der 1-TByte-Chip unterstützt eUFS 2.1. Die hohe Speicherkapazität erreicht Samsung, indem es 16 V-NAND-Chips mit einer Größe von je 512 Gbit übereinander stapelt. Nutzern soll so ausreichend Platz für die Speicherung von 260 Videos im 4K-UHD-Format mit einer Länge von je Minuten bieten. Die heute gebräuchlichen 64 GByte großen eUFS Speicher von Smartphones – das entspricht der Standardausstattung des Galaxy S9 – nehmen indes nur 13 Videos dieser Größe auf.

1 TByte eUFS-Speicher für Smartphones (Bild: Samsung)Durch die hohe Geschwindigkeit von bis zu 1 GByte/s soll es zudem möglich sein, eine 5 GByte große Datei innerhalb von fünf Sekunden auf eine NVMe-SSD zu übertragen, was laut Samsung zehnmal schneller ist als eine typische microSD-Karte. Die zufällige Lese- und Schreibgeschwindigkeit spezifiziert Samsung zudem mit 58.000 und 50.000 IOPS. Bei den Ende 2017 eingeführten 512-GByte-Chips waren es 42.000 beziehungsweise 40.000 IOPS.

Ein Vorteil der hohen Schreibgeschwindigkeit ist, dass Smartphone-Kameras künftig in der Lage sein sollten, Videos auch über längere Zeiträume oder gar kontinuierlich mit 960 Bildern pro Sekunde aufzunehmen. Solche Aufnahmen sind derzeit beim Galaxy S9 und S9+ beispielsweise auf 0,2 Sekunden beschränkt.

„Es wird erwartet, dass der 1 TByte eUFS eine entscheidende Rolle dabei spielen wird, der nächsten Generation mobiler Geräte ein Notebook-ähnlicheres Benutzererlebnis zu ermöglichen“, sagte Cheol Choi, Executive Vice President of Memory Sales & Marketing bei Samsung. „Darüber hinaus ist Samsung bestrebt, die zuverlässigste Lieferkette und angemessene Produktionsmengen zu gewährleisten, um die rechtzeitige Einführung der kommenden Flaggschiff-Smartphones bei der Beschleunigung des Wachstums des globalen Mobilfunkmarktes zu unterstützen.“

Laut Samsung führt die höhere Kapazität von 1 TByte jedoch nicht zu einer Vergrößerung des Chips. Er soll, genauso wie sein 512 GByte großer Vorgänger, lediglich eine Fläche von 11,5 mal 13 Millimeter einnehmen.

Die Massenfertigung des neuen Speicherchips hat bereits begonnen. Um die erwartete Nachfrage von Geräteherstellern weltweit zu erfüllen, will Samsung unter anderem die Produktionskapazität für 512 GBit V-NAND ausbauen.

Eines der ersten Smartphones mit 1 TByte internem Speicher dürfte das Samsung Galaxy S10 ein. Derzeit wird vermutet, dass Samsung zumindest eine Variante seines neuen Flaggschiff-Smartphones mit einem Terabyte internem Speicher ausstatten wird. Allerdings soll besagtes Galaxy S10+ mit 12 GByte RAM 1599 Euro kosten.

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2 Kommentare zu Samsung fertigt 1 TByte großen eUFS-Speicher für Smartphones

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  • Am 4. Februar 2019 um 15:23 von damagic

    1 terabyte pro sekunde ist wohl leider noch etwas utopisch…im text ist es mit 1gb/s richtig angegeben

    • Am 4. Februar 2019 um 15:45 von Kai Schmerer

      Korrekt. Danke für den Hinweis.

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