Samsungs neuer LPDDR5X-DRAM erreicht 10,7 Gbit/s

Die neuen Chips bieten bis zu 25 Prozent mehr Leistung. Samsung steigert auch die Energieeffizienz seiner LPDDR5X-Chips um bis zu 25 Prozent.

Samsung hat neue DRAM-Bausteine vom Typ LPDDR5X vorgestellt, die auch in Smartphones zum Einsatz kommen. Sie erreichen eine Übertragungsgeschwindigkeit von bis zu 10,7 Gbit/s. Nach Angaben des Unternehmens sind sie damit die derzeit schnellsten LPDDR5X-Speicherchips.

Die Bausteine sind für eine hohe Leistung und einen niedrigen Energieverbrauch optimiert und sollen so die Anforderungen für die lokale Ausführung von AI-Workloads auf mobilen Geräten erfüllen. Die in einem 12-Nanometer-Verfahren gefertigten Chips bieten zudem die derzeit kleinsten für DRAM verfügbaren Strukturbreiten. Neben Smartphones nannte Samsung auch AI-PCs, AI-Beschleuniger, Server und Fahrzeuge als mögliche Einsatzgebiete.

Gegenüber ihren Vorgängern bieten die neuen LPDDR5X-Chips laut Samsung 25 Prozent mehr Leistung und 30 Prozent mehr Speicherkapazität. Auch die Energieeffizienz wurde demnach um 25 Prozent erhöht, was die Betriebskosten für Smartphones und auch für Server senken soll.

Derzeit stellt Samsung seinen Kunden erste Muster der neuen Bausteine zur Verfügung. Die Massenproduktion soll im zweiten Halbjahr starten.

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