2100 MByte/s: Samsung startet Massenproduktion von eUFS-3.0-Speicher

Gegenüber der bisher verwendeten Norm eUFS 2.1 verdoppelt sich die Datenrate. Zunächst fertigt Samsung 512 GByte große Module. In der zweiten Jahreshälfte will es 1-TByte-Varianten herstellen.

Samsung hat mit der Massenfertigung von eUFS-3.0-Speicher mit 512 GByte Kapazität begonnen. Gegenüber bisher in Smartphones verbauten eUFS-2.1-Lösungen verdoppelt sich die Datenrate auf 2100 MByte/s. Zusammen mit der 512-GByte-Variante gibt es auch ein 128 Gbyte großes Modell. Eine Terabyte- und 256-GByte-Variante will der weltgrößte Halbleiterproduzent in der zweiten Jahreshälfte herstellen.

Samsung eUFS 3.0 mit 512 GByte Kapazität (Bild: Samsung)

„Der Beginn der Serienproduktion unserer eUFS-3.0-Produktreihe bietet uns einen großen Vorteil im Mobilfunkmarkt der nächsten Generation, in den wir eine Lesegeschwindigkeit bringen, die bisher nur auf ultraflachen Laptops verfügbar war“, sagte Cheol Choi, Executive Vice President of Memory Sales & Marketing bei Samsung Electronics. „Da wir unser eUFS-3.0-Angebot erweitern, einschließlich einer 1-Terabyte-Version im Laufe dieses Jahres, erwarten wir, dass wir eine wichtige Rolle bei der Beschleunigung der Dynamik im Premium-Mobilfunkmarkt spielen werden.“

Für das 512 GByte große eUFS-3.0-Speichermodul stapelt Samsung acht 512-Gigabit-V-NAND-Dies der fünften Generation und integriert einen leistungsstarken Controller. Neben der Verdoppelung der Lesegeschwindigkeit wurde auch die sequentielle Schreibgeschwindigkeit um 50 Prozent auf 410 MByte/s verbessert. Die zufälligen Lese- und Schreibgeschwindigkeiten steigen um bis zu 36 Prozent gegenüber der aktuellen Industriespezifikation eUFS 2.1.

Die hohe Bandbreite des neuen eUFS-3.0-Speichers ist sinnvoll bei Anwendungen, die große Anforderungen an das Speichersubsystem stellen. eUFS 3.0 könnte beispielsweise die Aufnahme von Videos in Superzeitlupe von längerer Dauer ermöglichen.

eUFS 3.0: Performance (Tabelle. Samsung)

Themenseiten: Samsung, Storage

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