Flash

Intel verkauft NAND-Flash-Sparte für 9 Milliarden Dollar

Käufer ist der südkoreanische Anbieter SK Hynix. Das Unternehmen steigt so zur Nummer zwei im Markt hinter Samsung auf. SK…

11 Monaten ago

Samsung startet Massenfertigung von 512GB eUFS 3.1 für Smartphones

Mit der dreifachen Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zum bisherigen 512 GB eUFS 3.0-Mobilspeicher durchbricht der neue eUFS 3.1-Speicher von Samsung die…

2 Jahren ago

Samsung meldet Gewinneinbruch von 53 Prozent

Die Bilanz bestätigt die Prognose von Anfang Januar. Auch das Geschäftsjahr schließt Samsung mit einem Gewinnrückgang von 31 Prozent ab.…

2 Jahren ago

Schwache Speichersparte beschert Samsung Gewinnrückgang von 56 Prozent

Sinkende Preise für Speicherchips belasten auch den Chip-Umsatz. Die Mobilsparte meldet indes Zuwächse bei Einnahmen und Profit. Samsung lobt vor…

2 Jahren ago

Samsung startet Massenfertigung von 28-Nanometer-eMRAM

Embedded Magnetic Random Access Memory ist ein nicht flüchtiger Speicher. Er bietet jedoch die Leistung von flüchtigem DRAM-Speicher. Mögliche Einsatzgebiete…

3 Jahren ago

microSD Express: Mehr Performance für mobilen Speicher

Die kommende Speicherkarten-Generation verspricht Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 985 MByte/s. Die Karten bleiben rückwärtskompatibel. Die Spezifikation SD 7.1 erweitert den…

3 Jahren ago

Samsung fertigt 1 TByte großen eUFS-Speicher für Smartphones

Er basiert auf Samsungs 512-Gbit-V-NAND-Flash. Dank eUFS 2.1 erreicht der neue Chip eine Lesegeschwindigkeit von bis zu einem Gigabyte pro…

3 Jahren ago

Micron: SSDs mit QLC-NAND sollen Festplatten in Rechenzentren ersetzen

Ihr Preis pro GByte nähert sich dem von Enterprise-HDDs an. Bei einem um 10 Prozent höheren Preis bieten SSDs 12-mal…

3 Jahren ago

Western Digital stellt UFS-NAND mit 96-Layer-Technologie vor

Das Embedded Flash Drive erreicht eine sequentielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 550 MByte/s. Laut Hersteller ist es "optimiert für datenintensive…

3 Jahren ago

Samsung kündigt 4-TByte-SSD mit QLC-NAND-Flash für Consumer an

Sie kommen mit Kapazitäten von 1, 2 und 4 TByte in den Handel. Die neuen SSDs basieren auf 4-Bit-V-NAND-Flash-Chips mit…

3 Jahren ago

Samsung startet Massenfertigung von V-Nand-Speicher mit 96 Layern

Gegenüber dem 64-schichtigen Vorgänger erhöht sich die Performance um 40 Prozent auf 1,4 GBit/s. Gleichzeitig bleibt die Energieeffizienz durch Reduktion…

3 Jahren ago

SD Express bietet Übertragungsraten von bis zu 985 MByte/s

Zudem erhöht die SD Association mit SD Ultra Capacity (SDUC) die maximal mögliche Speicherkapazität von derzeit 2 Terabyte (SDXC) auf…

3 Jahren ago

Veeam und Pure Storage integrieren Lösungen

Es basiert auf der neuen Veeam Universal Storage API, die eine Schnittstelle für die Availability Platform für Speicher-Anbieter bereitstellt. Mit…

3 Jahren ago

Samsung steigert Jahresgewinn auf 42 Milliarden Euro

Das entspricht einem Wachstum von 23,5 Prozent. Beim Jahresumsatz erzielt Samsung ein Plus von 19 Prozent. Wichtigster Wachstumsmotor ist auch…

4 Jahren ago

Galaxy S9: Samsung plant Vorstellung zum Mobile World Congress im Februar

Somit ist ein Marktstart im März denkbar. Das neue Flaggschiff könnte als erstes Samsung-Smartphone mit 512 GByte eUFS-Speicher kommen. Im…

4 Jahren ago

Samsung stellt 512 GByte großen eUFS-Speicher für Smartphones vor

Er besteht aus 64-lagigem VNAND-Flash-Speicher mit einer Kapazität von 512 GBit. Die neuen Chips erreichen eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu…

4 Jahren ago

Samsung bringt eUFS mit 850 MByte/s ins Auto

Basierend auf einem aktualisierten JEDEC-Standard hat Samsung neue Flash-Bausteine entwickelt. Sie bringen nicht nur mehr Leistung als Embedded-MMCs, sondern auch…

4 Jahren ago

Bericht: Toshiba stimmt Verkauf der Speichersparte an ein Konsortium zu

Diesmal soll es sicher sein: Laut US-Medien verkauft Toshiba seine Chipsparte an ein Konsortium um die Investitionsgruppe Bain. Apple, Dell…

4 Jahren ago

Apple an Toshibas Speicher-Sparte interessiert

Der iPhone-Hersteller beteiligt sich laut Bloomberg mit 3 Milliarden Dollar am Gebot von Bain Capital für die Sparte. Weitere finanzielle…

4 Jahren ago

Toshiba kündigt Low-Power-NVMe-SSD BG3 an

Sie ist für den Einsatz in Notebooks und Tablets gedacht. Die BG3-Serie bietet Toshiba mit Kapazitäten von 128, 256 und…

4 Jahren ago