Flash

V-NAND: Samsung steigert Bit-Dichte um 50 Prozent

Die neue V-NAND-Generation bietet die derzeit höchste verfügbare Bit-Dichte. Samsung steigert auch die Geschwindigkeit und senkt den Energieverbrauch gegenüber der…

2 Monaten ago

Intel verkauft NAND-Flash-Sparte für 9 Milliarden Dollar

Käufer ist der südkoreanische Anbieter SK Hynix. Das Unternehmen steigt so zur Nummer zwei im Markt hinter Samsung auf. SK…

4 Jahren ago

Samsung startet Massenfertigung von 512GB eUFS 3.1 für Smartphones

Mit der dreifachen Schreibgeschwindigkeit im Vergleich zum bisherigen 512 GB eUFS 3.0-Mobilspeicher durchbricht der neue eUFS 3.1-Speicher von Samsung die…

4 Jahren ago

Samsung meldet Gewinneinbruch von 53 Prozent

Die Bilanz bestätigt die Prognose von Anfang Januar. Auch das Geschäftsjahr schließt Samsung mit einem Gewinnrückgang von 31 Prozent ab.…

4 Jahren ago

Schwache Speichersparte beschert Samsung Gewinnrückgang von 56 Prozent

Sinkende Preise für Speicherchips belasten auch den Chip-Umsatz. Die Mobilsparte meldet indes Zuwächse bei Einnahmen und Profit. Samsung lobt vor…

5 Jahren ago

Samsung startet Massenfertigung von 28-Nanometer-eMRAM

Embedded Magnetic Random Access Memory ist ein nicht flüchtiger Speicher. Er bietet jedoch die Leistung von flüchtigem DRAM-Speicher. Mögliche Einsatzgebiete…

5 Jahren ago

microSD Express: Mehr Performance für mobilen Speicher

Die kommende Speicherkarten-Generation verspricht Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 985 MByte/s. Die Karten bleiben rückwärtskompatibel. Die Spezifikation SD 7.1 erweitert den…

5 Jahren ago

Samsung fertigt 1 TByte großen eUFS-Speicher für Smartphones

Er basiert auf Samsungs 512-Gbit-V-NAND-Flash. Dank eUFS 2.1 erreicht der neue Chip eine Lesegeschwindigkeit von bis zu einem Gigabyte pro…

5 Jahren ago

Micron: SSDs mit QLC-NAND sollen Festplatten in Rechenzentren ersetzen

Ihr Preis pro GByte nähert sich dem von Enterprise-HDDs an. Bei einem um 10 Prozent höheren Preis bieten SSDs 12-mal…

6 Jahren ago

Western Digital stellt UFS-NAND mit 96-Layer-Technologie vor

Das Embedded Flash Drive erreicht eine sequentielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 550 MByte/s. Laut Hersteller ist es "optimiert für datenintensive…

6 Jahren ago

Samsung kündigt 4-TByte-SSD mit QLC-NAND-Flash für Consumer an

Sie kommen mit Kapazitäten von 1, 2 und 4 TByte in den Handel. Die neuen SSDs basieren auf 4-Bit-V-NAND-Flash-Chips mit…

6 Jahren ago

Samsung startet Massenfertigung von V-Nand-Speicher mit 96 Layern

Gegenüber dem 64-schichtigen Vorgänger erhöht sich die Performance um 40 Prozent auf 1,4 GBit/s. Gleichzeitig bleibt die Energieeffizienz durch Reduktion…

6 Jahren ago

SD Express bietet Übertragungsraten von bis zu 985 MByte/s

Zudem erhöht die SD Association mit SD Ultra Capacity (SDUC) die maximal mögliche Speicherkapazität von derzeit 2 Terabyte (SDXC) auf…

6 Jahren ago

Veeam und Pure Storage integrieren Lösungen

Es basiert auf der neuen Veeam Universal Storage API, die eine Schnittstelle für die Availability Platform für Speicher-Anbieter bereitstellt. Mit…

6 Jahren ago

Samsung steigert Jahresgewinn auf 42 Milliarden Euro

Das entspricht einem Wachstum von 23,5 Prozent. Beim Jahresumsatz erzielt Samsung ein Plus von 19 Prozent. Wichtigster Wachstumsmotor ist auch…

6 Jahren ago

Galaxy S9: Samsung plant Vorstellung zum Mobile World Congress im Februar

Somit ist ein Marktstart im März denkbar. Das neue Flaggschiff könnte als erstes Samsung-Smartphone mit 512 GByte eUFS-Speicher kommen. Im…

6 Jahren ago

Samsung stellt 512 GByte großen eUFS-Speicher für Smartphones vor

Er besteht aus 64-lagigem VNAND-Flash-Speicher mit einer Kapazität von 512 GBit. Die neuen Chips erreichen eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu…

7 Jahren ago

Apple an Toshibas Speicher-Sparte interessiert

Der iPhone-Hersteller beteiligt sich laut Bloomberg mit 3 Milliarden Dollar am Gebot von Bain Capital für die Sparte. Weitere finanzielle…

7 Jahren ago

Toshiba kündigt Low-Power-NVMe-SSD BG3 an

Sie ist für den Einsatz in Notebooks und Tablets gedacht. Die BG3-Serie bietet Toshiba mit Kapazitäten von 128, 256 und…

7 Jahren ago

Samsung startet Massenproduktion in neuer Fab

Im neuen Werk soll vor allem V-NAND-Flash-Speicher mit 64 Schichten vom Band laufen. Samsung Electronics reagiert auf die steigende weltweite…

7 Jahren ago