Speicher

Flashbolt: Samsung kündigt dritte Generation seiner High-Bandwidth-Speicherchips an

Die Speicherkapazität verdoppelt sich von 8 auf 16 GByte. Samsung steigert aber auch die durchschnittliche und maximale Datenrate. Letztere erhöht…

2 Jahren ago

Samsung erhöht Kapazität von High Bandwidth Memory

Samsung hat den Weg für High-Bandwidth-Memory-2-Module mit einer höheren Speicherkapazität geebnet. Statt acht Lagen stapelt das koreanische Unternehmen nun zwölf…

2 Jahren ago

Intel schlägt neue Speichertechnik zur Abwehr von Spectre-Angriffen vor

Sie wehrt vorhandene und auch künftige Angriffe auf die spekulative Ausführung ab. Allerdings wirkt sich auch die SAPM genannte Technik…

2 Jahren ago

RAMBleed: Forscher präsentieren neue Rowhammer-Variante

Der neue Angriff erlaubt das Auslesen von Speicherinhalten. Bisher beschränkt sich Rowhammer auf das Verändern von Inhalten. Eine ECC-Fehlerkorrektur schützt…

2 Jahren ago

Samsung startet Massenproduktion von Mobile DRAM mit 12 GByte

Die branchenweit bislang höchste Kapazität soll zum Standard bei High-End-Smartphones werden. Der Hersteller verspricht mit LPDDR4X niedrigen Strombedarf und doppelte…

3 Jahren ago

Galaxy S10+: Kosten für Hardware belaufen sich auf 420 Dollar

Das entspricht rund 40 Prozent des erwarteten Straßenpreises. Die Kosten für Forschung und Entwicklung sind darin nicht enthalten. Im kommenden…

3 Jahren ago

microSD Express: Mehr Performance für mobilen Speicher

Die kommende Speicherkarten-Generation verspricht Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 985 MByte/s. Die Karten bleiben rückwärtskompatibel. Die Spezifikation SD 7.1 erweitert den…

3 Jahren ago

Ultrastar DC ME200: Western Digital erweitert Server-RAM mit NVMe-SSD

Der Hersteller verspricht eine kostengünstige Lösung, die fast DRAM-Performance erreicht. Er sieht die Speichererweiterung als ideal geeignet für In-Memory-Anwendungen wie…

3 Jahren ago

Western Digital stellt UFS-NAND mit 96-Layer-Technologie vor

Das Embedded Flash Drive erreicht eine sequentielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 550 MByte/s. Laut Hersteller ist es "optimiert für datenintensive…

3 Jahren ago

32-GByte-SO-DIMM: Samsung startet Massenfertigung von 10-Nanometer-Speicherzellen

Damit verdoppelt Samsung die Speicherkapazität bisheriger DDR4-SO-DIMMs. Die Performance steigt auf 2666 Mbps und der Stromverbrauch reduziert sich um 39…

3 Jahren ago

Halbleiterhersteller: Samsung ist die neue Nummer 1

Intel gibt die führende Position erstmals nach 25 Jahren ab. Der Umsatz der Branche übertraf 2017 400 Milliarden Dollar.

3 Jahren ago

Micron: GDDR6-Grafikspeicher ist fertig

Muster sind bereits auf dem Weg zu den Herstellern von High-End-Grafikkarten. Die Serienproduktion soll noch im ersten Halbjahr 2018 beginnen.…

4 Jahren ago

Bericht: Toshiba stimmt Verkauf der Speichersparte an ein Konsortium zu

Diesmal soll es sicher sein: Laut US-Medien verkauft Toshiba seine Chipsparte an ein Konsortium um die Investitionsgruppe Bain. Apple, Dell…

4 Jahren ago

Apple an Toshibas Speicher-Sparte interessiert

Der iPhone-Hersteller beteiligt sich laut Bloomberg mit 3 Milliarden Dollar am Gebot von Bain Capital für die Sparte. Weitere finanzielle…

4 Jahren ago

400 GByte: SanDisk bringt microSD-Card mit weltweit größter Speicherkapazität

Die winzige Speicherkarte kann 400 GByte Daten aufnehmen und ist vornehmlich für Smartphones und einige Kameras geeignet, die über einen…

4 Jahren ago

microSD-Card: Samsung EVO Plus 256GB 2017 im Praxistest

Samsung hat seine microSD-Modelle aktualisiert und gleichzeitig das Portfolio verkleinert. Die EVO-Plus-Serie umfasst vier Modelle mit bis zu 256 GByte…

4 Jahren ago

Samsung plant MRAM-Fertigung für SoCs

Auf dem Foundry Forum am 24. Mai steht die Präsentation eines Prototyps mit integriertem MRAM an. Der Hersteller will dort…

4 Jahren ago

SK Hynix stellt Grafik-DRAM der sechsten Generation vor

GDDR6-RAM verdoppelt die I/O-Datenrate pro Pin auf 16 Gbit/s. High-End-Grafikarten sollen sogar eine Bandbreite von bis zu 768 GByte pro…

4 Jahren ago

SK Hynix kündigt 72-lagigen TLC-3D-NAND-Flash-Chip an

Die Kapazität pro Chip steigt damit auf 32 GByte. Samsung und Toshiba fertigen 3D NAND Flash derzeit mit 64 Lagen.…

4 Jahren ago

Dropbox: 68 Millionen Passwörter gestohlen

Wie Dropbox jetzt bestätigt hat, konnten Hacker offenbar tatsächlich 68 Millionen Passwörter von Kunden des Online-Speicherdienstes erbeuten. Von dem Diebstahl…

5 Jahren ago