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Samsung plant MRAM-Fertigung für SoCs

Samsung wird voraussichtlich auf seinem kommenden Foundry Forum MRAM vorstellen, das sich für den Einsatz in einem System-on-a-Chip (SoC) eignet. Auf der Veranstaltung am 24. Mai in den USA will der Hersteller seine neue Fertigungstechnik für den schnellen Speicher im Detail erläutern.

Die Speichertechnik MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) wird schon seit Jahrzehnten entwickelt. Sie verspricht geringen Energiebedarf bei der Speicherung von Informationen und kann durch die nichtflüchtige Speicherung Daten auch bei abgeschalteter Stromversorgung vorhalten. Aufgrund der aufwendigen und kostspieligen Fertigung kam sie aber trotz beachtlicher Vorteile nicht über Nischenanwendungen hinaus, obwohl die Herstellung in Großserien immer wieder angekündigt wurde. MRAM wurde vielfach als DRAM-Nachfolger angesehen, von dem Verbraucher vor allem beim Einsatz in mobilen Geräten profitieren sollen.

Unter anderem arbeitete Toshiba an MRAM-Speicher, der als Cache-Speicher den Stromverbrauch mobiler Prozessoren um zwei Drittel senken sollte. Darüber hinaus war an MRAM als Ersatz für Flash- und DRAM-Speicher gedacht. Toshiba nutzte dabei die sogenannte Spin-Torque-Technologie, bei der die Drehung eines Elektrons benutzt wird, um die Ausrichtung eines magnetischen Bits festzulegen. Das reduziere bei Schreibvorgängen den Strombedarf.

Samsung und IBM berichteten Mitte letzten Jahres von der gemeinsamen Entwicklung eines MRAM-Herstellungsverfahrens mit STT-Technologie (Spin-Transfer Torque). Diese nächste Generation von MRAM sollte sich insbesondere für IoT-Sensoren, Wearables und Mobilgeräte eignen, die derzeit NAND-Flash für die Datenspeicherung nutzen.

Samsungs Geschäftsbereich Device Solutions hat nun den Prototyp eines SoC mit integriertem MRAM geschaffen und wird ihn auf dem Foundry Forum in diesem Monat präsentieren, wie die koreanische Etnews berichtet. Als erster Foundry-Kunde Samsungs hat demnach NXP die Serienproduktion von Embedded-MRAM in Auftrag gegeben.

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Bernd Kling

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