Micron: GDDR6-Grafikspeicher ist fertig

von Bernd Kling

Muster sind bereits auf dem Weg zu den Herstellern von High-End-Grafikkarten. Die Serienproduktion soll noch im ersten Halbjahr 2018 beginnen. Der Hersteller will mit Geschwindigkeiten von 12 GBit/s und 14 GBit/s starten und später auf 16 GBit/s steigern. weiter

Apple an Toshibas Speicher-Sparte interessiert

von Bernd Kling

Der iPhone-Hersteller beteiligt sich laut Bloomberg mit 3 Milliarden Dollar am Gebot von Bain Capital für die Sparte. Weitere finanzielle Unterstützer sind Dell, Seagate und SK Hynix. Apple will für sich die fortlaufende Belieferung mit Flash-Speicher sichern, um nicht vom Rivalen Samsung abhängig zu werden. weiter

microSD-Card: Samsung EVO Plus 256GB 2017 im Praxistest

von Kai Schmerer

Samsung hat seine microSD-Modelle aktualisiert und gleichzeitig das Portfolio verkleinert. Die EVO-Plus-Serie umfasst vier Modelle mit bis zu 256 GByte Speicherplatz, während die PRO-Reihe nur noch zwei Modelle mit bis zu 64 GByte bietet. weiter

Samsung plant MRAM-Fertigung für SoCs

von Bernd Kling

Auf dem Foundry Forum am 24. Mai steht die Präsentation eines Prototyps mit integriertem MRAM an. Der Hersteller will dort seine neue Fertigungstechnik für den schnellen und energieeffizienten Speicher erläutern. NXP gibt die Serienproduktion von Embedded-MRAM in Auftrag. weiter

SK Hynix stellt Grafik-DRAM der sechsten Generation vor

von Stefan Beiersmann

GDDR6-RAM verdoppelt die I/O-Datenrate pro Pin auf 16 Gbit/s. High-End-Grafikarten sollen sogar eine Bandbreite von bis zu 768 GByte pro Sekunde erreichen. Trotzdem soll die Betriebsspannung um 10 Prozent sinken. weiter

SK Hynix kündigt 72-lagigen TLC-3D-NAND-Flash-Chip an

von Stefan Beiersmann

Die Kapazität pro Chip steigt damit auf 32 GByte. Samsung und Toshiba fertigen 3D NAND Flash derzeit mit 64 Lagen. SK Hynix verbessert zudem die Schreib- und Lesegeschwindigkeit seiner Chips um 20 Prozent. weiter

Dropbox: 68 Millionen Passwörter gestohlen

von Anja Schmoll-Trautmann

Wie Dropbox jetzt bestätigt hat, konnten Hacker offenbar tatsächlich 68 Millionen Passwörter von Kunden des Online-Speicherdienstes erbeuten. Von dem Diebstahl sind Dropbox-Nutzer, die ihr Passwort vor Mitte 2012 das letzte Mal geändert haben, betroffen. weiter

Samsung stellt V-NAND, 32-TByte-SAS-SSD und Z-SSD vor

von Anja Schmoll-Trautmann

Samsung hat neben seiner vierten V-NAND-Generation, die 30 Prozent mehr Layer mit Cell Arrays als ihr Vorgänger stapelt, eine SAS SSD mit 32 Terabyte, ein 1TB BGA SSD und die Z-SSD vorgestellt, die sich durch eine extrem niedrige Latenz auszeichnen soll. weiter

Samsung beginnt mit Massenproduktion von 18-Nanometer-DDR4-DRAM

von Björn Greif

Der neue 8-GBit-DDR4-Speicher erreicht Datenraten von bis zu 3200 MBit/s. Damit arbeitet er laut Hersteller 30 Prozent schneller als die im 20-Nanometer-Verfahren gefertigte Vorgängergeneration. Zugleich soll der Stromverbrauch 10 bis 20 Prozent geringer ausfallen. weiter

Samsung will 2015 zehn Milliarden Dollar ins Halbleitergeschäft stecken

von Björn Greif

Damit soll das kontinuierliche Wachstum seiner aktuell profitabelsten Sparte gesichert werden. Geplant sind eine zusätzliche Fertigungsstraße für DRAM-Module in Hwaseong sowie ein neues Werk in Pyeongteak. Vor allem sein Angebot an 3D-Vertical-NAND-Produkten will Samsung ausbauen. weiter

Terabyte-Festplatten von Sony mit Thunderbolt und USB 3.0 ab Mai verfügbar

von Anja Schmoll-Trautmann

Die PSZ-HB2T liest und schreibt mit bis zu 122 MByte/s, die PSZ-HB1T bietet laut Hersteller Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 120 MByte/s. Eine stoßfeste Silkonschicht und eine entsprechend ausgelegte innere Architektur sollen dafür sorgen, dass den 2,5-Zoll-Festplatten auch Stürze aus bis zu zwei Metern Höhe nichts anhaben können. weiter