Intel und Micron habe eine neue Speichertechnik namens 3D XPoint vorgestellt. Dabei handelt es sich um einen nichtflüchtigen Speicher, der tausendmal schneller sein soll als die heute für die meisten Speicherkarten wie auch Solid State Drives verwendete NAND-Technik. Eine Besonderheit ist, dass 3D XPoint ohne Transistoren auskommt.
Die neue Technik soll aber nicht nur schneller, sondern auch tausendmal haltbarer sein als heutige NAND-Lösungen. Intel und Micron versprechen zudem eine bis zu zehnmal höhere Dichte als bei DRAM. 3D XPoint kann auch als Hauptspeicher (RAM) für Computer eingesetzt werden. „Die 3D XPoint Technologie stellt einen wichtigen Durchbruch in der Speicherfertigung dar und bildet die erste neue Speicherkategorie seit der Einführung von NAND-Flash im Jahr 1989“, teilen Intel und Micron mit.
Laut Intel Vice President Rob Crooke wird 3D XPoint anfänglich über PCI Express (PCIe) an einen Computer angebunden, da dies derzeit die schnellste verfügbare Schnittstelle sei. Allerdings sei PCIe nicht in der Lage, das Potenzial der neuen Technik vollständig auszureizen. Es werde also eine neue Technik benötigt, die wiederum möglicherweise eine vollständig neue Mainboard-Architektur erfordere.
Beide Firmen haben bereits mit der Fertigung von 3D-Xpoint-Speicher begonnen. Ausgewählte Kunden sollen noch dieses Jahr erste Muster erhalten. Intel und Micron arbeiten zudem an den ersten auf der neuen Technologie basierenden Produkten. Sie sollen irgendwann im kommenden Jahr verfügbar sein.
[mit Material von Rachel King, ZDNet.com, und Dong Ngo, News.com]
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