Der taiwanische Halbleiterfertiger TSMC wird Wafer mit 450 Millimetern Größe nicht wie geplant ab 2015 herstellen, sondern erst ab 2018. Der Taipeh Times zufolge liegt das daran, dass sich auch die benötigten Produktionswerkzeuge verschieben – aufgrund der unvorteilhaften wirtschaftlichen Lage.
Erst Anfang August hatte die Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) 1,11 Milliarden Euro in ASML investiert, das ihm just solche Anlagen liefern soll. Auch Samsung und Intel fördern ASML mit Milliardenbeträgen, um die Entwicklung der nötigen Lithografieverfahren für die Herstellung von Prozessoren der nächsten Generation zu beschleunigen – und sich frühzeitigen Zugriff darauf zu sichern.
Bisher stellt TSMC hauptsächlich 300-Millimeter-Wafer her. Mit der Umstellung auf eine größere Siliziumplatte können laut seinem verantwortlichen Manager J.K. Wang die Kosten bei der Produktion noch kompakterer Prozessoren im Rahmen bleiben. Das Problem: Senkt man die Strukturbreite unter derzeitige Werte wie 28 Nanometer, werden aufwändige dreidimensionale Strukturen wie Intels Tri-Gate oder FinFET nötig. TSMC strebt laut Wang erschwingliche 10-Nanometer-Prozessoren mit FinFET-Transistoren an.
Solche 10-Nanometer-Chips sind dem TSMC-Manager zufolge für den Einsatz in Heimelektronik wie tragbaren Spielkonsolen vorgesehen, die Höchstleistung kombiniert mit niedrigem Stromverbrauch erfordern. Wang betonte, eine dreidimensionale Multigate-Transistoren-Architektur ermögliche kompakte, stromsparende Designs. Dass sie bisher nicht gefertigt würden, liege nicht an der fehlenden Technik, sondern an den hohen Kosten. Ein 450-Millimeter-Wafer ergebe zweieinhalb mehr Chips als ein 300-Millimeter-Wafer.
Wangs neuer Zeitplan sieht vor, dass ASML 2015 die nötigen Produktionsanlagen bereitstellt. TSMC werde dann zwischen 2016 und 2017 eine Produktionsanlage einrichten. Man erwäge, dazu eine neue Fertigungsanlage in der Umgebung der taiwanischen Millionenstadt Taichung zu bauen.
[mit Material von Jamie Yap, ZDNet.com]
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