Samsung Electronics hat mit der Massenproduktion von 512 MBit DDR2 DRAMs in einer 80-nm-Technologie begonnen. Gegenüber dem bisherigen 90-nm-Prozess kann der Hersteller mit der neuen Prozesstechnologie DRAMs nach dem DDR2-Standard mit 50 Prozent höherer Effizienz fertigen.
„Die Nachfrage nach DDR2 DRAMs, die 2004 erstmals auf den Markt kamen, ist so hoch wie nie zuvor“, so das koreanische Unternehmen. Für das laufende Jahr rechnet die Firma mit einem kontinuierlich steigenden Bedarf an DDR2-Speichern.
Beschleunigt wurde der Umstieg auf die 80-nm-Technologie durch den Einsatz sogenannter „Recess Channel Array Transistoren“ (RCATs). Dieses dreidimensionale Transistor-Layout verbessert die Refresh-Rate. Die RCATs von Samsung benötigen laut dem Hersteller außerdem eine kleinere Zellenfläche und ermöglichen es, den Fertigungsprozess noch besser zu skalieren und mehr Chips auf einem Wafer unterzubringen.
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