Die deutsche Chiphschmiede Infineon hat neue Produkte aus dem Geschäftsbereich Speicherprodukte für mobile Anwendungen wie Notebooks und tragbare Geräte wie Handys und PDAs angekündigt. Ergänzt wurde das Produktportfolio um 1-Gbyte-SO-DIMMs, eine neue Generation von Mobilen-RAMs und um CellularRAMs für Mobiltelefone.
Die besonders flachen 1-Gbyte-DDR2-DO-DIMMs zielen vor allem auf die nächste Generation der Notebooks und Laptops mit ihren noch dünneren Abmessungen. Durch ein neues „planares“ Design können 16 mal 512 Mbit-DDR2 Einzelchips beidseitig auf dem Modul platziert werden. Dadurch werden Kapazitäten von bis zu einem Gigabyte erreicht. Eine neue Mobile-RAM-Generation bietet Speicherkapazitäten von 128 oder 256 Mbit und reduziert laut Infineon die Leistungsaufnahme im Vergleich zu Standard-SDRAMs um 80 Prozent.
Die Infineon Cellular-RAMs sind Pseudo-SRAMs (PSRAMs) und speziell für künftige 2,5G- und 3G-Mobiltelefone ausgelegt. Diese Handy-Generation stellt in ihren Multimedia- und Kamera-Funktionen höhere Anforderungen an den Speicher und die Bandbreite. Die CellularRAMs sind jetzt mit Kapazitäten von 16- und 32-Mbit, 1,8-V-Stromversorgung, 70-ns-SRAM-Zugriffszeit und 80-MHz-Burstfrequenz verfügbar. Muster mit 64-Mbit sind bereits für das vierte Quartal 2004 geplant. Die 129-Mbit-Variante soll laut Infineon ab dem ersten Quartal 2005 erhältlich sein.
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