SK Hynix hat den nach eigenen Angaben weltweit schnellsten DRAM-Chip für mobile Geräte vorgestellt. Die neuen LPDDR5T-Bausteine sollen bis zu 13 Prozent höhere Übertragungsgeschwindigkeiten erreichen bei zugleich verbesserter Energieeffizienz.
LPDDR5T-Chips – das „T“ steht für Turbo – übertragen nach Herstellerangaben Daten mit bis zu 9,6 GBit/s. Das Plus von 13 Prozent wird im Vergleich zur Vorgängergeneration LPDDR5X erzielt, die SK Hynix seit November 2022 anbietet.
Optimiert für den Einsatz in mobilen Geräten arbeiten die neuen Speicherchips mit einer Betriebsspannung zwischen 1,01 und 1,12 Volt. Laut SK Hynix stellen die LPDDR5T-Bausteine ein Upgrade der 7. Chip-Generation dar (LPDDR5X), bevor die Entwicklung der achten Generation (LPDDR6) abgeschlossen wird.
„Das Unternehmen hat die Technologie in nur zwei Monaten nach der Markteinführung von LPDDR5X, einem mobilen DRAM mit einer Spezifikation von 8,5 GBit/s im November 2022, an neue Grenzen gebracht“, teilte der Chiphersteller mit. „Wir werden unsere Führungsposition auf dem Markt für mobile DRAMs festigen, indem wir Produkte mit verschiedenen Speicherkapazitäten anbieten, die den Bedürfnissen der Kunden entsprechen.“
Kunden stehen derzeit Muster mit einer Kapazität von 16 GByte zur Verfügung. Diese Multi-Chip-Pakete sollen in der Lage sein, 77 GByte Daten pro Sekunde zu verarbeiten, was laut ‚SK Hynix der Übertragung von 15 Filmen im Full-HD-Format in einer Sekunde entspricht. Die Massenfertigung soll in einem 10-Nanometer-Verfahren in der zweiten Jahreshälfte beginnen.
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