Samsung Electronics hat nach eigenen Angaben die erste „CVD-Aluminium-Prozesstechnologie“ der Branche entwickelt – eine neue Prozesstechnologie an der 70-Nanometer-Marke, die das chemische Dampfabscheidungsverfahrens CVD (Chemical Vapor Deposition) verwendet.
Die CVD-Aluminium-Prozesstechnologie ist eine Interconnect-Technologien im DRAM-Fertigungsprozess. Sie umfasst die Erstellung leitfähiger Schichten durch Umwandlung metallorganischen Ausgangsmaterials, einschließlich Aluminium, über chemische Reaktionen in Partikel die auf der Waferoberfläche abgeschieden werden und dann die Mehrlagenverdrahtung in Schaltungskreisen bilden.
Bisherige Verfahren zur Verdrahtung in DRAM-Schaltkreisen verwenden die physikalische Dampfabscheidung PVD (Physical Vapor Deposition). Dabei werden dünne Schichten gebildet, indem festes Material in Partikel umgewandelt wird. Die Anwendung des PVD-Verfahrens ist jedoch in Prozessen für
90-Nanometer- oder kleineren Strukturen auf Grund des sogenannten ‚Void ’-Problems schwierig. Derartige Fehlstellen verhindern eine gleichmäßige Ablagerung auf der Wafer-Oberfläche, was wiederum zu Problemen bei den Schaltungseigenschaften führt. Beim Einsatz der CVD-Aluminium-Prozesstechnologie sollen nicht nur die Probleme der physikalischen Hohlraumbildung gelöst werden, sondern auch die elektrischen Eigenschaften der Leitbahnen wesentlich verbessert.
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