IBM und Infineon haben gemeinsam eine MRAM (Magnetic Random Access Memory)-Technologie entwickelt, bei der magnetische Speicherelemente in einen leistungsfähigen Logik-Prozess integriert wurden. Wie die beiden Unternehmen heute bekannt gaben, könnte die neue Technologie zur beschleunigten Markteinführung von MRAMs beitragen.
„Der innovativen Speichertechnologie wird das Potenzial eingeräumt, bereits ab 2005 einige der bisherigen Speichertechnologien zu ersetzen“, zeigte sich Infineon überzeugt. Mit MRAMs seien Computer vorstellbar, die auf Knopfdruck sofort betriebsbereit sind und sich „schnell wie eine Lampe an- und ausschalten lassen“, so das Unternehmen weiter.
Der 128-Kbit-MRAM-Core soll erstmals auf dem in dieser Woche in Kyoto stattfindenden VLSI Symposium präsentiert werden. Laut den beiden Unternehmen wurde der Chip wurde mit einem 0,18-Mikrometer-Logikprozess gefertigt, den für MRAM-Technologie bislang kleinsten bekannten Strukturen. „Diese kleinen Strukturen haben IBM und Infineon erlaubt, eine extrem kleine MRAM-Speicherzelle von nur 1,4 Quadrat-Mikrometer zu erzeugen“, erläutern die Hersteller. Die präzise Anordnung der magnetischen Strukturen in der Speicherzelle erlaubten den Forschern, die Schreib- und Lese-Operationen genau zu steuern.
Als eine Speichertechnologie, die Informationen (Daten-Bits) nicht in Form von elektrischen, sondern magnetischen Ladungselementen speichert, sei die MRAM-Technologie prädestiniert für mobile Computing-Produkte, die mehr Informationen bei schnellerem Zugriff und weniger Leistungsaufnahme speichern könnten. Die neue Lösung vereinige die bekannten Vorteile von heute eingesetzten Speichern: Die Speicherkapazität und die niedrigen Kosten von DRAMs, die hohe Geschwindigkeit von SRAMs und die Nichtflüchtigkeit von Flash-Speichern. Da MRAMs die gespeicherten Daten auch nach dem Abschalten der Versorgungsspannung behalten, könnten Produkte wie PCs sofort nach dem Einschalten betriebsbereit sind, ohne auf das Booten durch Software warten zu müssen.
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