Samsung hat mit der Produktion von NAND-Flash-Chips mit 20 Nanometern Strukturbreite und 64 GBit (8 GByte) Kapazität begonnen. Sie sollen vor allem in USB-Sticks und Speicherkarten zum Einsatz kommen.
Die neuen Bausteine basieren auf der Triple-Level-Cell-Technik (TLC), speichern also drei Bit pro Zelle statt einem Bit wie bei SLC– respektive zwei Bit bei MLC-NAND-Flash. Außerdem setzen sie auf die Toggle-DDR-Technik, die deutliche Leistungsvorteile gegenüber Single Data Rate (SDR) bietet.
Die aktuelle Spezifikation Toggle DDR 1.0 sieht Interface-Geschwindigkeiten von 133 MBit/s vor und ist damit mehr als dreimal so schnell wie SDR (40 MBit/s). Das für 2011 geplante Toggle DDR 2.0 soll bis zu 400 MBit/s erreichen.
Durch den Umstieg auf den kleineren Fertigungsprozess und die Verdoppelung der Kapazität steigt die Produktivität gegenüber 30-Nanometer-TLC-Chips mit 32 GBit (4 GByte) Samsung zufolge um 60 Prozent. Die neuen Bausteine sparen nicht nur Platz, sondern senken auch die Kosten pro GByte. 20-Nanometer-NAND-Flash mit 32 GBit Kapazität stellt Samsung bereits seit April 2010 her.
Intel und Micron hatten Mitte August ebenfalls NAND-Flash-Chips mit drei Bit pro Zelle und 64 GBit Kapazität vorgestellt. Allerdings wiesen diese noch eine Strukturbreite von 25 Nanometern auf.
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