Schnell, billig und winzig könnten die künftigen Prozessoren hergestellt werden. Zumindest verspricht das das Laser assisted direct imprint (Ladi)-Herstellungsverfahren, berichtet das Magazin „Spektrum der Wissenschaft“.
Entwickelt hat die Technologie eine Gruppe um Stephen Chou von der Universität Princeton im US-Bundesstaat New Jersey. Mit dem Ladi-Verfahren sollen angeblich nur zehn Nanometer große Halbleiterbahnen auf dem Siliziumträger erzeugt werden können.
Bei der Technik werden die obersten Schichten der Siliziumplatte mit einem Laserstrahl aufgeschmolzen. Anschließend werde ein Glasstempel mit dem Negativbild der gewünschten Architektur des Halbleiters auf den erweichten Halbleiter gedrückt. Das Trägermaterial soll binnen Sekundenbruchteilen erstarren. Danach könne der Stempel entfernt werden. Die Grundstrukturen des Chips blieben auf der Siliziumoberfläche zurück, so der Bericht.
Unter dem Elektronen- und Rasterkraftmikroskopen habe sich außerdem gezeigt, dass die relativ großen Rechteckmuster und die zehn Nanometer große Feinstruktur am Rand der Relieflinien auf der Siliziumoberfläche geprägt wurde. Probleme gebe es jedoch noch bei der Ausdehnung der Stempelfläche auf mehrere Quadratzentimeter. Zudem ist noch nicht bekannt, wie oft ein solcher Negativstempel bei der Produktion eingesetzt werden kann und dabei noch genaue Strukturen wiedergibt.
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