Samsung hat mit der Produktion von NAND-Flash-Chips mit 20 Nanometern Strukturbreite und 64 GBit (8 GByte) Kapazität begonnen. Sie sollen vor allem in USB-Sticks und Speicherkarten zum Einsatz kommen.
Die neuen Bausteine basieren auf der Triple-Level-Cell-Technik (TLC), speichern also drei Bit pro Zelle statt einem Bit wie bei SLC– respektive zwei Bit bei MLC-NAND-Flash. Außerdem setzen sie auf die Toggle-DDR-Technik, die deutliche Leistungsvorteile gegenüber Single Data Rate (SDR) bietet.
Die aktuelle Spezifikation Toggle DDR 1.0 sieht Interface-Geschwindigkeiten von 133 MBit/s vor und ist damit mehr als dreimal so schnell wie SDR (40 MBit/s). Das für 2011 geplante Toggle DDR 2.0 soll bis zu 400 MBit/s erreichen.
Durch den Umstieg auf den kleineren Fertigungsprozess und die Verdoppelung der Kapazität steigt die Produktivität gegenüber 30-Nanometer-TLC-Chips mit 32 GBit (4 GByte) Samsung zufolge um 60 Prozent. Die neuen Bausteine sparen nicht nur Platz, sondern senken auch die Kosten pro GByte. 20-Nanometer-NAND-Flash mit 32 GBit Kapazität stellt Samsung bereits seit April 2010 her.
Intel und Micron hatten Mitte August ebenfalls NAND-Flash-Chips mit drei Bit pro Zelle und 64 GBit Kapazität vorgestellt. Allerdings wiesen diese noch eine Strukturbreite von 25 Nanometern auf.
Ab Werk blockiert Chrome Cookies von Dritten nun frühestens ab Anfang 2025. Unter anderem gibt…
Die Vorfreude steigt, denn BAUMLINK wird als Partner und Aussteller bei der Tech Show 2024…
Nutzung einer unternehmenseigenen GPT-Umgebung für sicheren und datenschutzkonformen Zugriff.
Der Umsatz steigt um 15 Prozent, der Nettogewinn um 57 Prozent. Im nachbörslichen Handel kassiert…
Aus 61,9 Milliarden Dollar generiert das Unternehmen einen Nettoprofit von 21,9 Milliarden Dollar. Das größte…
Mehr Digitalisierung wird von den Unternehmen gefordert. Für KMU ist die Umsetzung jedoch nicht trivial,…