Samsung hat auf seinem Mobile Solutions Forum in Taipeh angekündigt, ab sofort mit der 60-Nanometer-Fertigung von 512-MBit-Modulen des nicht flüchtigen „Phase-Change Random Access Memory“ (PRAM) zu beginnen. PRAM soll eine hohe Leistung mit niedrigem Stromverbrauch kombinieren und auf lange Sicht den vor allem in Mobilgeräten verbauten NOR-Flashspeicher ablösen.
Samsung zufolge benötigt PRAM durch seine vereinfachte Datenzugriffslogik weniger Unterstützung durch DRAM, wodurch die Leistungsaufnahme des Gesamtsystems sinkt. So soll sich die Akkulaufzeit eines damit ausgestatteten Handys um bis zu 20 Prozent verlängern.
Die 512-MBit-PRAM-Module sind nach Herstellerangaben in der Lage, 64 Kilowords in 80 Millisekunden zu löschen und damit zehnmal schneller als NOR-Flash. 5 MByte große Datensegmente soll PRAM bis zu siebenmal schneller löschen und wiederbeschreiben können. Zudem sei der neue Speicher wesentlich besser skalierbar und biete eine zehnmal höhere Lebensdauer.
Einen ersten funktionstüchtigen PRAM-Prototypen hatte Samsung im September 2006 vorgestellt. Damals hatte der Hersteller „irgendwann 2008“ als Starttermin für die Massenproduktion ausgegeben.
Der Bericht zeigt bereits nutzbare Angriffsanwendungen und bewertet die Risiken, die davon ausgehen.
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