Intel-CEO Paul Otellini hat während seiner Eröffnungsrede auf dem Intel Developer Forum 2009 (IDF) in San Francisco den ersten 22-Nanometer-Wafer mit funktionierenden SRAM-Speicherzellen präsentiert. Auf einer Grundfläche von der Größe eines Fingernagels finden 2,9 Milliarden Transistoren Platz.
Beim 22-Nanometer-Fertigungsprozess kommt die dritte Generation der High-K-Metal-Gate-Technik zum Einsatz, die für weitere Leistungssteigerungen und verringerte Leckströme sorgen soll. Darauf basierende Chips will Intel Ende 2011 auf den Markt bringen.
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