Forscher vom japanischen National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) haben unter Mitarbeit von Wissenschaftlern der University of Tokyo einen Flash-Speicher entwickelt, der bis zu 10.000-mal länger halten soll als herkömmliche NAND-Module. Während letztere nur rund 10.000 Schreib-Lese-Zyklen überstehen, verkraften die neuen Chips den Wissenschaftlern zufolge 100 Millionen Durchläufe.
Gleichzeitig hat das Team um Shigeki Sakai die Spannung zur Programmierung der Speicherbausteine auf weniger als ein Drittel des Werts aktueller Module reduziert. Herkömmliche NAND-Flash-Speicher erfordern eine Programmierspannung von etwa 20 Volt, so die Forscher. Ihre Technologie setzt auf ferroelektrische Feldeffekttransistoren (FeFETs), die ihnen als Speicherelemente dienen. Diese können mit Spannungen von weniger als sechs Volt beschrieben werden.
Die neue FeFET-Technologie ist nach Ansicht der Forscher auch für Strukturgrößen bis zu zehn Nanometern geeignet, während konventionelle Chips bei 30 Nanometern an ihre Grenzen stoßen. Die Speicherdauer der neuen Chips schätzen die Wissenschaftler auf bis zu zehn Jahre.
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