IBM will in Zusammenarbeit mit TDK Speichermodule entwickeln, die auf der so genannten Spin-Torque-Transfer-Technologie (STT) basieren. Dabei wird die Richtung eines magnetischen Feldes mithilfe eines Stromflusses moduliert, was eine Veränderung des Widerstands bewirkt, die als 0 oder 1 interpretiert werden kann.
Die Unternehmen wollen innerhalb von vier Jahren einen 65-Nanometer-STT-Prototyp entwickeln. Die 65-Nanometer-Technologie wird derzeit schon für die Herstellung von Prozessoren verwendet.
Für Bill Gallagher, Memory-Manager bei IBM, sind STT-RAM und Phasen-Umwandlungsspeicher zwei heiße Kandidaten für zukünftige kommerzielle Angebote. STT-RAM ist schneller und könnte auch eine längere Lebenszeit haben, denn bei der Phasen-Umwandlung werden mikroskopisch kleine Teile des Chips auf mehrere Hundert Grad erhitzt. Der Vorgang verändert die Struktur des kristallinen Materials, so dass eine höhere Dichte erreicht wird als bei anderen Technologien.
Mit dem STT-Verfahren will IBM die Entwicklung des magnetischen Speichers MRAM vorantreiben. Bisher hatte das Unternehmen Probleme, die Transistoren auf den Chips zu verkleinern. „Wenn man den MRAM kleiner machen will, muss man das magnetische Feld verstärken und das wird irgendwann unmöglich. Um auf 65 Nanometer zu kommen, mussten wir ein neues Verfahren finden, wie die Information geschrieben werden kann“, erklärt Gallagher.
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