Intel will diese Woche den Prototyp eines Transistors vorstellen, dessen Channel anstatt aus Silizium aus Indium Antimonid besteht. Dadurch soll der Stromverbrauch um 90 Prozent sinken, die Geschwindigkeit soll um 50 Prozent steigen.
Die Schaltung wurde in Kooperation mit Qinetiq entwickelt und ist bis auf den Channel einem klassischen Transistor sehr ähnlich. Indium Antimonid ist eine Verbindung, deren Substanzen aus der dritten und fünften Gruppe des Periodensystems stammen.
Nach Angaben von Intel könnten Chips mit solchen Transistoren im Jahr 2015 auf den Markt kommen. Derzeit sind die Schaltungen auf einem Gallium-Arsenid-Substrat aufgebracht. Im nächsten Schritt will Intel nun ein Silizium-Substrat als Basis verwenden.
Die Kooperationspartner haben bereits Anfang des Jahres Transistoren dieser Art vorgestellt. Sie hatten aber eine Channel-Länge von 200 Nanometer, die in den neusten Papieren beschriebenen Schaltungen messen 85 Nanometer.
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