Infineon will am Standort Dresden sein Entwicklungszentrum für Speicherprodukte (Memory Development Center) erweitern und damit die zentrale Rolle des Standortes für die Entwicklung von Prozesstechnik, insbesondere für DRAM- und Flash-Produkte, weiter stärken und ausbauen.
Wie das Unternehmen heute bekannt gab, soll ein neues Gebäude auf dem Gelände seines Dresdner Werkes entstehen, dessen Mittelpunkt ein Reinraum für die Entwicklung bildet. Die Investitionen dafür betragen in den nächsten zwei Jahren insgesamt rund 120 Millionen Euro. Infineon geht derzeit davon aus, dass im laufenden Geschäftsjahr rund 120 Arbeitsplätze für die Erweiterung des Entwicklungszentrums neu geschaffen werden.
Die zusätzlichen Kapazitäten des Memory Development Centers werden in einem neuen Gebäudekomplex in unmittelbarer Nähe der bestehenden Halbleiterfertigung von Infineon bis Anfang 2005 errichtet. Der Baubeginn ist für Mitte des Jahres vorgesehen. Im Endausbau bedeutet das eine zusätzliche Reinraumfläche von rund 2300 Quadratmetern.
„Vor allem in Dresden hat Infineon kontinuierlich neue Mitarbeiter eingestellt und hochqualitative und produktive Arbeitsplätze in Deutschland geschaffen. Im letzten Jahr haben wir hier zudem die Technologie-Entwicklungsaktivitäten des Speicherbereiches im Memory Development Center gebündelt“, sagte Dr. Harald Eggers, Leiter des Geschäftsbereichs Speicherprodukte von Infineon Technologies. „Mit der Erweiterung des Entwicklungszentrums gehen wir nun einen Schritt weiter und schaffen die räumlichen Voraussetzungen für die Entwicklung der übernächsten Technologiegenerationen mit 70 Nanometer und darunter und sichern damit unsere führende Wettbewerbsposition in diesem Bereich.“
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