NEC Electron Devices hat eine 0,13-Mikron Voll Metall DRAM-Herstellungs-Technologie präsentiert. Mit dem Verfahren soll es möglich sein, 450 MHz Embedded-DRAMs zu produzieren. Die Chips werden laut NEC mit einer Spannung von 1,2 Volt betrieben. Ein erster 16-MBit Test-Chip wurde NEC-Experten zufolge bereits mit dem neuen Verfahren hergestellt.
Mit Ausnahme des Isolatorfilms für den Kondensator seien sämtliche Materialien des Prozesses aus Metall. Die Technik soll Chips herstellen, die SRAMs in Kommunikations- und High-End Server-Anwendungen ersetzen, so das Unternehmen.
Die ersten Muster der Halbleiter sollen im Januar bereits verfügbar sein. Die Massenproduktion der Chips beginnt laut NEC im kommenden Sommer.
Integrated Device Manufacturers (IDMs) wie NEC und Toshiba in Japan haben seit Jahren damit zu kämpfen, weitreichende Anwendungen für Embedded-DRAMs zu finden. „Auch die Kunden seien in der Vergangenheit immer schwer davon zu überzeugen gewesen, mehr für diese schnelleren Chips auszugeben“, sagte der technische Direktor einer Tochtergesellschaft von TSMC Japan, Ken Chen.
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