Infineon Technologies (Börse Frankfurt: IFX) und Canon haben ein gemeinsames Forschungsprojekt zur Entwicklung von Photolithographie-Systemen auf Basis der 157 Nanometer-Belichtungstechnologie über F2-Laser (Fluor) vereinbart. Infineon plant die Einführung der Technik für die Fertigung von Speicher- und Logikprodukten an Produktionsstandorten des Unternehmens.
Beide Firmen gehen davon aus, dass entsprechende Belichtungsanlagen künftig von den Herstellern von Halbleiterbauelementen weltweit dazu eingesetzt werden, um Schaltkreise mit 70 nm-Groundrules fertigen zu können. Herkömmliche Belichtungssysteme mit KrF- (Krypton-Fluorid, 248 nm) und ArF-Lasern (193 nm) bieten laut Infineon nicht die technischen Voraussetzungen zur Abbildung der ultrafeinen Linienmuster, die von den Chip-Herstellern für die Miniaturisierung von Schaltkreisen unter 90 nm benötigt werden. Gemäß der International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS)
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