Infineon Technologies (Börse Frankfurt: IFX) hat heute die Verfügbarkeit des Dual-Band LNA (Low Noise Amplifier) PMB2364 für GSM-Mobiltelefone angekündigt. Der Verstärker-Chip wird auf Basis des Silizium-Germanium-Bipolar-Prozesses B7HF von Infineon gefertigt und ist bereits in Volumen-Stückzahlen verfügbar. Er erfüllt die Anforderungen an das Rauschen und die Verstärkung für die Dual-Band-Standards GSM900/1800 und GSM900/1900.
„Der PBM2364 adressiert die spezifischen Anforderungen von hohen Betriebsfrequenzen, geringem Rauschen, reduzierter Leistungsaufnahme sowie hohem Integrationsgrad und stellt so eine ideale Lösung für mobile Kommunikations-Applikationen dar“, sagte der Senior Vice President und General Manager des Geschäftsbereichs Drahtlose Kommunikation bei Infineon Technologies, Ulrich Hamann.
Der LNA soll besonders geringe Rauschwerte von 1,3 dB (Dezibel) bei 0,95 GHz oder 1,5 dB bei 1,85 GHz mit einer Verstärkung von 19 dB bieten. Der Chip benutzt dabei die Vorteile der B7HF-Prozesstechnologie, mit Transitfrequenzen von bis zu 75 GHz. Darüber hinaus bietet der PMB2364 angepaßte Ein-/Ausgänge und arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 2,7 bis 3,6 Volt bei sehr geringer Stromaufnahme. Durch das integrierte Matching sollen laut Infineon im Vergleich zu anderen Lösungen weniger externe Komponenten erforderlich sein.
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