Die weltweite Chipindustrie sucht ständig nach Wegen, Chips mit immer kleineren Strukturgrößen zu produzieren. Die bislang eingesetzten optischen Lithographieverfahren stoßen bei Chipstrukturen von 90 Nanometern endgültig an ihre Grenzen.
Eine neue Perspektive bietet eine Entwicklung aus dem Fraunhofer-Institut für Lasertechnik ILT und der RWTH Aachen (LLT). Die Wissenschaftler konstruierten eine preiswerte und beständige Strahlquelle für extrem ultraviolettes Licht (EUV-Strahlung).
Als Regel für die Chipfertigung gilt: Je geringer die Wellenlänge des verwendeten Lichts, desto kleinere Strukturen können auf den Chips erzeugt werden.
Die Mitarbeiter der Plasmatechnologiegruppe am ILT-LLT produzieren ein extrem kurzwelliges, ultraviolett-strahlendes Plasma in einer Gasentladung. Dabei heizen sie Xenon mit einem Strom von etwa 10.000 Ampere auf. Es entsteht ein Plasma, das im Spektralbereich von 11 bis 16 Nanometern strahlt.
„Die Elektrodengeometrie unserer Strahlungsquelle führt im Vergleich zu bisher untersuchten Möglichkeiten zu deutlich höheren Standzeiten und erlaubt Wiederholraten im Bereich einiger Kilohertz“, erklärt Forscher Klaus Bergmann. „Solche Wiederholraten sind notwendig, um eine hinreichend hohe mittlere Strahlungsleistung zu gewährleisten.“ Der Prototyp erzielt heute schon Strahlungsleistungen im Bereich mehrerer 100 mW. Damit liegt er weltweit mit an der Spitze der plasmabasierten Strahlungsquellen.
Kontakt: Fraunhofer-Institut für Lasertechnik ILT, Tel.: 0241/8906302
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