Intel und Micron fertigen NAND-Flash mit 20 Nanometern und 64 GBit

IM Flash Technologies (IMFT) hat einen Herstellungsprozess für NAND-Flash-Speicher mit 20-Nanometern Strukturbreite entwickelt. Darauf basierend will das Joint Venture von Intel und Micron Multi-Level-Cell-Module mit 64 GBit (8 GByte) Kapazität auf den Markt bringen. Sie sollen vor allem in Smartphones, Tablets oder Solid State Drives (SSDs) zum Einsatz kommen.

Die 20-Nanometer-Chips haben nach Herstellerangaben eine Grundfläche von 118 Quadratmillimetern. Damit sind sie – abhängig vom Gehäusetyp – um bis zu 40 Prozent kleiner als die bisher produzierten 8-GByte-Modelle mit 25 Nanometern Strukturbreite (131 Quadratmillimeter). Den dadurch gewonnen Raum können Hersteller beispielsweise dazu nutzen, größere Akkus, einen breiteren Bildschirm oder Komponenten für zusätzlich Anwendungen in ihre Geräte einzubauen.

Das Schrumpfen der NAND-Lithographie ist laut IMFT die kosteneffizienteste Lösung, um die Produktivität der Fabriken signifikant zu steigern. Der Umstieg auf den kleineren Fertigungsprozess stelle gegenüber dem 25-Nanometer-Verfahren rund 50 Prozent mehr an Speicherkapazität in Gigabyte zur Verfügung. In puncto Leistung und Zuverlässigkeit würden ähnliche Werte erreicht.

Prototypen der 8-GByte-Bausteine mit 20 Nanometern Strukturbreite sind IMFT zufolge schon in Produktion. Die Serienfertigung wird voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2011 anlaufen. Bis dahin wollen Intel und Micron auch erste 16-GByte-NAND-Module für SSDs präsentieren, die auf der Fläche einer Briefmarke bis zu 128 GByte Kapazität bieten.

Samsung fertigt schon seit Mitte Oktober 2010 NAND-Flash-Speicher mit 8 GByte Kapazität im 20-Nanometer-Verfahren. Seine Bausteine basieren jedoch auf der Triple-Level-Cell-Technik (TLC), speichern also drei Bit pro Zelle statt einem Bit wie bei SLC– respektive zwei Bit bei MLC-NAND-Flash.