Infineon Technologies (Börse Frankfurt: IFX) hat heute einen neuen 128 MBit DDR (Double Date Rate)-SGRAM (Synchronous Graphics RAM)-Baustein für leistungsfähige 3D Grafik-Applikationen auf den Markt gebracht. Der neue Speicher-IC folgt dem 32 MBit DDR-SGRAM nach.
Das 128 MBit-SGRAM ist zu 4M x 32 organisiert und somit für Grafik-Speicher in 32-, 64-, 128- und 256 Bit Bus-Applikationen ausgelegt. Der neue Baustein wird in einem JEDEC-kompatiblen Ball Grid Array-Gehäuse (BGA) geliefert und unterstützt Taktfrequenzen von bis zu 300 MHz. Damit werden die bisherigen Einschränkungen von Komponenten in TSOP- und TQFP-Gehäusen überwunden. Mit dieser Betriebsfrequenz kann der neue DDR-Baustein Datenbandbreiten von bis zu 2,4 GByte/s verarbeiten (bezogen auf einen 32 Bit-Bus), und ist somit laut Infineon der derzeit schnellste DDR Speicher-Chip.
Der neue Speicher-IC bietet zusätzliche ein impedanzangepaßtes 1,8 Volt-Interface. Der Betrieb mit 1,8 Volt führt zu einer Reduzierung der Leistungsaufnahme gegenüber dem 2,5 Volt Standard-Interface. Dies ist ein besonders wichtig bei 3D-Grafik-Anwendungen in Notebook-PCs. Darüber hinaus bietet das BGA-Gehäuse (12 x 12) 16 sogenannte Thermal-Balls für die Kühlung.
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