Samsung erhöht Kapazität von High Bandwidth Memory

Samsung hat den Weg für High-Bandwidth-Memory-2-Module mit einer höheren ...

Samsung hat den Weg für High-Bandwidth-Memory-2-Module mit einer höheren Speicherkapazität geebnet. Statt acht Lagen stapelt das koreanische Unternehmen nun zwölf Schichten mit Speicherbausteinen übereinander, ohne dass die Höhe des Pakets von 720 Mikrometern zunimmt.

Mehr Speicher, ohne den Platzbedarf zu erhöhen, erlaubt aber nicht nur Speicherchips mit einer höheren Kapazität. Samsung verspricht auch Performancevorteile durch geringere Übertragungszeiten sowie einen geringeren Energieverbrauch.

12-Layer Through Silicon Via (Bild: Samsung)Ermöglicht wird der Fortschritt durch eine neue Technik, die Samsung 12-Layer 3D-TSV nennt, wobei TSV für Through Silicon Via steht. Dabei werden die einzelnen Chips des Speichermoduls nicht von außen (Wire Bonding Technology), sondern innerhalb der Chips miteinander verdrahtet. Dafür werden allerdings pro Speichermodul mit zwölf Lagen mehr als 60.000 TSV-Löcher benötigt, die exakt angeordnet werden müssen. Die für die Verbindungen genutzten Drähte sind 20-Mal dünner als ein menschliches Haar.

„Die Paket-Technologie, die alle Feinheiten des ultraperformanten Speichers sicherstellt, wird mit der Vielzahl von neuen Anwendungen wie künstliche Intelligenz (KI) und Hochleistungs-Computing (HPC) immer wichtiger“, sagte Hong-Joo Baek, Executive Vice President bei Samsung. Da das Mooresche Gesetz an seine Grenzen stoße, werde die 3D-TSV-Technik wahrscheinlich immer wichtiger und Samsung sei ein führender Anbieter dieser Chip-Technologie.

Derzeit bietet Samsung HMB2-Speichermodule mit einer Kapazität von 8 GByte an. Die Erhöhung von acht auf zwölf Schichten soll indes Module mit bis zu 24 GByte Speicher ermöglichen, deren Massenproduktion schon in Kürze beginnen soll. Dafür erhöht Samsung allerdings nicht nur die Zahl der Schichten, sondern auch die Kapazität der einzelnen Schichten: Sie bieten künftig 16 Gbit statt 8 Gbit.

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