Samsung stellt ausfallsichere PCIe-SSD vor

Eine Fail-in-place genannte Technik erkennt defekte Speicherchips. Sie verlagert die dort gespeicherten Daten in andere Chips. Der sonst notwendige Austausch der SSD ist somit nicht notwendig. Die SSDs der Serien PM1733 und PM1735 verfügen zudem über eine eigene Virtualisierungstechnik.

Samsung hat zwei neue Serien von Solid State Drives für Rechenzentren vorgestellt, die über eine Fail-in-place (FIP) genannte Technik verfügt und die Massenspeicher nahezu ausfallsicher machen soll. Sie erlaubt den Betrieb der SSDs, selbst wenn einzelne NAND-Chips nicht mehr funktionieren.

Samsung-SSD (Bild: Samsung)

Die neuen NVMe-SSDs nutzen PCI Express der vierten Generation. Sie sollen helfen, die Betriebskosten für Server und Rechenzentren zu senken. Üblicherweise muss bei einem Ausfall eines NAND-Chips die fehlerhafte SSD ausgetauscht und gegebenenfalls eine Datenrücksicherung durchgeführt werden. Die FIP-Technology erkennt indes fehlerhafte Chips, scannt deren Daten und verschiebt sie in fehlerfrei arbeitende Chips.

Samsung bietet die Technik in zwei Modellen an: PM1733 und PM1735, die sich durch den Formfaktur unterscheiden. Zur Verfügung stehen jeweils 2,5-Zoll-U.2- und HHHL-Varianten mit einer Speicherkapazität von 0,8 bis 30,72 TByte. Die U.2-Variante im 2,5-Zoll-Gehäuse erreicht eine sequenzielle Lese- und Schreibgeschwindigkeit von 6400 Mbyte/s beziehungsweise 3800 Mbyte/s. Für die HHHL-Karten spezifiziert Samsung 8000 MByte/s sowie 3800 Mbyte/s. Die maximale Lesegeschwindigkeit ist damit bis zu doppelt so groß die bei SSDs, die PCIe Gen3 unterstützen.

Darüber hinaus stattet Samsung die Massenspeicher mit einer SSD Virtualization genannten Technik aus. Sie unterteilt eine SSD in bis zu 64 kleinere SSDs, die als unabhängige virtuelle Speicher für mehrere Nutzer definiert werden können. Die Technik soll Cloud Storage Providern helfen, mehr Nutzer mit denselben Ressourcen zu versorgen und auch virtualisierte Aufgaben wie Single-Root I/O Virtualization auszuführen, die normalerweise der CPU vorbehalten sind.

Neu ist auch eine V-NAND Machine-Learning-Technologie. Sie nutzt Big Data, um Eigenschaften von Speicherzellen zu prüfen und vorherzusagen sowie Abweichung von Mustern zu erkennen. Dadurch soll die Zuverlässigkeit angesichts zunehmender Übertragungsraten gesichert werden.

Für die neuen Modelle verspricht Samsung neben einer hohen Leistung von 1,45 Millionen IOPS fürs Lesen und 260.000 IOPS fürs Schreiben auch eine lange Lebensdauer. Während es die Produktreihe PM1733 auf 1 DWPD (Drive Writes per Day) bringt, schafft die Serie PM1735 sogar 3 DWPD über einen Zeitraum von fünf Jahren.

Zu Preisen und Verfügbarkeit machte Samsung keine Angaben.

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