Samsung hat seine Roadmap für die Fertigung künftiger Chipgenerationen vorgestellt. Demnach wird das südkoreanische Unternehmen, das jüngst von 14 auf 10 Nanometer umgestiegen ist, die Strukturen seiner System-on-Chip (SoC) künftig in kleineren Schritten verringern. Auf 10 Nanometer sollen 8 Nanometer folgen, bis dann in 1-Nanometer-Schritten die Marke von 4 Nanometern erreicht wird.
Die darauf folgende Generation wird erstmals ein Extreme Ultra Violet genanntes Lithografie Verfahren nutzen, um eine Strukturgröße von 7 Nanometern zu erreichen. Entwickelt wurde dieses Verfahren laut Samsung gemeinsam mit ASML, dem in den Niederlanden ansässigen weltweit größten Anbieter von Lithografiesystemen für die Halbleiterindustrie. Bis einschließlich der 5-Nanometer-Generation soll die Fertigung zudem auf dem aktuellen FinFET-Verfahren basieren und vor allem den Stromverbrauch der Chips weiter senken.
Mit dem Wechsel zu 4 Nanometern will Samsung seine Produktion auf eine neue Geräte-Architektur namens Multi Bridge Channel FET (MBCFET) umstellen. Dabei soll es sich um Samsungs eigene Gate-All-Around-FET-Technologie (GAAFET) handeln, die ein sogenanntes Nanosheet-Gerät nutzt, um die physikalischen- und Leistungsgrenzen der FinFET-Architektur zu umgehen.
„Die universelle Natur von intelligenten, verbundenen Maschinen und die alltäglichen Consumer-Geräte signalisieren den Beginn der nächsten industriellen Revolution“, erklärte Jong Shik Yoon, Executive Vice President von Samsungs Foundry-Sparte, bei der Vorstellung der Roadmap auf dem Samsung Foundry Forum. „Um in der heutigen schnelllebigen Geschäftsumgebung wettbewerbsfähig zu sein, benötigen unsere Kunden einen Foundry-Partner mit einer umfassenden Roadmap für fortschrittliche Prozesstechnologien, damit sie ihre Geschäftsziele erreichen.“
In welchem Zeitraum Samsung seine Produktionsverfahren weiterentwickeln und die Strukturen seiner Chips auf 4 Nanometer verkleinern wird, ließ der Manager indes offen. Allerdings hat das Unternehmen schon jetzt einen Vorsprung vor seiner Konkurrenz. Intel fertigt beispielsweise nicht nur die aktuelle siebte Core-i-Generation (Kaby Lake) im 14-Nanometer Prozess, auch die für das zweite Halbjahr 2017 angekündigte achte Generation soll an diesem Verfahren festhalten. 10 Nanometer kleine Strukturen werden Intel-Chips also wohl frühestens ab 2018 haben, also ein Jahr, nachdem Samsung die 10-Nanometer-Fertigung für sich und auch Kunden wie Qualcomm aufgenommen hat.
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