V-NAND: Flash-Technologie der Zukunft

von ZDNet-Redaktion

V-NAND Flash-Speicher erreichen mit vertikal angeordneten Speicherzellen und neuen Materialien eine höhere Datendichte und Lebensdauer. In Kombination mit der M.2-Schnittstelle und dem NVMe-Protokoll sind SSDs nun bis zu fünfmal schneller als herkömmliche SATA-SSDs. weiter

Samsung startet Massenproduktion von 256-GByte-Flashspeicher für Mobilgeräte

von Björn Greif

Die neuen Universal-Flash-Storage-Module bieten die doppelte Kapazität und Geschwindigkeit wie die vor einem Jahr eingeführten 128-GByte-Chips. Sie erreichen sequentielle Transferraten von bis zu 850 MByte/s beim Lesen und 260 MByte/s beim Schreiben. Zugleich sind sie kleiner als eine MicroSD-Karte. weiter

Samsung SSD 950 PRO: Höchste Zeit für Performance

von ZDNet-Redaktion

Die SSD gilt schon seit Jahren als Mittel der Wahl, wenn es um die Leistungssteigerung eines PCs geht. Der SSD-Effekt zeigt sich auch in einer gestiegenen Produktivität der Mitarbeiter. weiter

CES: Samsung zeigt Portable SSD T3 mit bis zu 2 TByte Speicher

von Björn Greif

Der Nachfolger der Portable SSD T1 soll im Februar in den Handel kommen. Er erreicht laut Hersteller sequenzielle Übertragungsraten von bis zu 450 MBit/s. Neu gegenüber dem Vorjahresmodell sind ein schockresistentes Metallgehäuse und ein verdrehsicherer USB-Typ-C-Anschluss. weiter

Tuning: SSD-Schreibperformance von Surface Pro 4 verbessern

von Kai Schmerer

Der Standard-Treiber von Microsoft bremst die NVMe-SSD von Samsung aus. Durch ein einfaches Treiber-Update steigt die Schreibleistung des Surface Pro 4 in Teilbereichen um fast das 200-Fache. Allerdings bleibt in der Praxis davon meist nicht viel übrig. weiter

Samsung kündigt M.2-SSD 950 Pro mit NVMe und PCI Express 3.0 an

von Björn Greif

Sie wird im Oktober in Kapazitäten von 256 und 512 GByte in den Handel kommen. Die Transferrate ist mit bis zu 2500 MByte/s beim Lesen und 1500 MByte/s beim Schreiben angegeben, die Ein-/Ausgabeleistung mit maximal 300.000 respektive 110.000 IOPS. Die Preise beginnen bei 200 Dollar. weiter

Samsung will 2015 zehn Milliarden Dollar ins Halbleitergeschäft stecken

von Björn Greif

Damit soll das kontinuierliche Wachstum seiner aktuell profitabelsten Sparte gesichert werden. Geplant sind eine zusätzliche Fertigungsstraße für DRAM-Module in Hwaseong sowie ein neues Werk in Pyeongteak. Vor allem sein Angebot an 3D-Vertical-NAND-Produkten will Samsung ausbauen. weiter

Samsung integriert NVMe in M.2-SSDs

von Bernd Kling

Als weitweit erster Hersteller bietet Samsung eine SSD im Formfaktor einer M.2-Karte mit NVM Express an. Die NVMe-Laufwerke sollen die Entwicklung schnellerer und extrem flacher Notebooks erlauben. In der nächsten Generation seiner NVMe-SSD-Produkte will Samsung außerdem die Flash-Technologie 3D-V-NAND implementieren. weiter

Samsung bringt SSD-Reihe 850 Evo mit 3D-Vertical-NAND-Flash

von Björn Greif

Anders als bei der im Juli vorgestellten 850-Pro-Reihe werden pro Zelle drei statt zwei Bit gespeichert. Dadurch sind die neuen Laufwerke etwas langsamer und weniger haltbar, aber auch günstiger. Die Preise für die SSD-Modelle mit Kapazitäten von 120 bis 1000 GByte liegen zwischen 92 und 457 Euro. weiter

Samsung kündigt SSD-Reihe 850 Pro mit 3D-Vertical-NAND-Flash an

von Björn Greif

Die mehrlagige Struktur erlaubt eine höhere Speicherdichte, Schreibrate und Haltbarkeit bei geringerem Energiebedarf. Die SATA-3-SSDs sind ab Ende Juli in Kapazitäten von 128 GByte bis 1 TByte verfügbar. Gegenüber der Vorgängerserie 840 Pro bieten sie eine leicht gesteigerte Leserate von 550 MByte/s. weiter