Intel und Micron Technology haben gemeinsam eine Flashspeicher-Technik für Karten und USB-Sticks entwickelt. Das NAND-Flash mit 3 Bit pro Zelle wird mit 34 Nanometern Strukturbreite gefertigt. Es bietet größere Dichte als herkömmlicher Speicher mit 2 Bit pro Zelle und erlaubt somit Flash-Laufwerke mit höherer Kapazität, schreibt Micron.
USB-Flash-Laufwerk (Bild: Lexar)
Weiter heißt es, Flash mit 3 Bit pro Zelle sei allerdings nicht so zuverlässig wie die Standardtechnologie. Deshalb werde es zunächst nur in externen Medien zum Einsatz kommen, die nicht ganz so strengen Anforderungen unterlägen wie interne Solid State Disks (SSDs). Die Massenfertigung soll im vierten Quartal beginnen.
SanDisk und Toshiba hatten schon im Herbst 2008 eine Technologie mit 4 Bit pro Zelle angekündigt und im Februar ausführlich vorgestellt. Ihnen zufolge bietet sie die aktuell höchste Speicherdichte der Branche.
In Verbindung damit steht eine Meldung von Intel vom Montag: Die Fehlerkorrektur für das 34-Nanometer-Solid-State-Laufwerk X25-M ist validiert worden. Eine Lücke hatte es irreparabel außer Gefecht gesetzt, wenn der Anwender ein BIOS-Passwort ändern oder löschen wollte. Die Korrektur steht nun zum Download bereit.
