Samsung stellt 512 GByte großen eUFS-Speicher für Smartphones vor

Er besteht aus 64-lagigem VNAND-Flash-Speicher mit einer Kapazität von 512 GBit. Die neuen Chips erreichen eine Schreibgeschwindigkeit von bis zu 860 MByte pro Sekunde. Mit bis zu 42.000 IOPS sind die Chips zudem 400-mal leistungsfähiger als eine SD-Speicherkarte.

Samsung hat die Massenproduktion der nach eigenen Angaben branchenweit ersten 512 GByte großen Embedded-Universal-Flash-Storage-Lösung (eUFS) gestartet. Sie setzt auf Samsungs 64-Lagen-V-NAND-Chips mit einer Kapazität von 512 GBit. Die Speichermodule sollen eine „beispiellose Speicherkapazität und herausragende Leistung für kommende Flaggschiff-Smartphones und –Tablets“ bieten.

512 GByte großes eUFS-Speichermodul von Samsung (Bild: Samsung)512 GByte großes eUFS-Speichermodul von Samsung (Bild: Samsung)Trotz der höheren Kapazität soll der 512-GByte-UFS-Speicher nicht mehr Platz benötigen als die aktuellen Module mit einer Kapazität von 256 GByte. Das werde die die Erhöhung der Speicherdichte von 48 auf 64 Lagen ermöglicht.

Darüber hinaus soll das neue Modul Platz bieten für rund 130 4K-UHD-Videos mit einer Auflösung von 3840 mal 2160 Pixeln und einer Länge von jeweils 10 Minuten. Die Lesegeschwindigkeit spezifiziert Samsung mit bis zu 860 MByte pro Sekunde. Daten schreiben soll der neue eUFS-Speicher mit bis zu 255 MByte pro Sekunde. Dadurch soll es möglich sein, ein 5 GByte großes Full-HD-Video in rund sechs Sekunden von einem Smartphone oder Tablet auf eine SSD zu übertragen, was der achtfachen Geschwindigkeit einer typischen MicroSD-Speicherkarte entsprechen soll.

Beim verteilten Lesen lassen sich nach Herstellerangaben bis zu 42.000 IOPS erreichen – bei zufälligen Schreibvorgängen sollen es bis zu 40.000 IOPS sein und damit 400-mal Mehr Eingabe/Ausgabe-Operationen pro Sekunde als bei einer herkömmlichen SD-Karte. „Mobile Nutzer können nahtlose Multimedia-Erlebnisse genießen wie hochauflösende Serienaufnahmen oder Video-Downloads und Dateisuche in einer Dual-App-Ansicht“, ergänzte Samsung.

Überarbeitet wurde zudem der Speichercontroller. Er soll dank einer neuen Mapping-Technologie in der Lage sein, virtuelle Speicheradressen schneller in physische Speicheradressen umzuwandeln. Außerdem soll er gegenüber der Vorgängergeneration den Energieverbrauch senken.

Samsung ist inzwischen der größte Halbleiterhersteller der Welt. Die Sparte bescherte dem Unternehmen zuletzt Rekordgewinne, die der Handysparte versagt blieben. Seine Führungsposition will Samsung nach eigenen Angaben unter anderem mit dem Ausbau der Produktionskapazitäten für 256- und 512-Gbit-VNAND-Chips stärken.

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[mit Material von Cho Mu-Hyun, ZDNet.com]

Themenseiten: Flash, Galaxy, Samsung, Smartphone, Storage

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2 Kommentare zu Samsung stellt 512 GByte großen eUFS-Speicher für Smartphones vor

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  • Am 6. Dezember 2017 um 12:05 von Holger Z

    Was denn nun? Gbit oder GByte?
    Naja, ist Ja kaum ein Unterschied!

    • Am 8. Dezember 2017 um 13:34 von Stefan Beiersmann

      Die einzelnen VNAND-Flash-Speicherbausteine haben laut Samsung eine Kapazität von 512 Gigabit. Daraus stellt Samsung dann den eUFS-Speicher mit einer Kapaztität von 512 Gigabyte her. Warum Samsung mal die eine und mal die andere Einheit verwendet, ist wohl sein Geheimnis.

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