Samsung startet verbesserte 10-Nanometer-Fertigung

Mit dem Herstellungsverfahren 10LPP (Low Power Plus) verspricht der Hersteller eine Leistungssteigerung um 10 Prozent oder einen um 15 Prozent geringeren Energieverbrauch. Erste Geräte mit darauf basierenden SoCs sollen Anfang 2018 auf den Markt kommen.

Samsung meldet den Start der Serienfertigung von System-on-Chip-Produkten, die auf der zweiten Generation seines FinFET-Herstellungsverfahrens in 10 Nanometer Strukturbreite basieren. Das als 10LPP (Low Power Plus) bezeichnete Verfahren kommt SoCs zugute, die schon Anfang 2018 in ersten Geräten zum Einsatz kommen sollen. Im Lauf des nächsten Jahres ist eine breitere Verfügbarkeit zu erwarten.

Samsung (Bild: Samsung)

10LPP ermöglicht laut Hersteller eine Leistungssteigerung um 10 Prozent oder einen um 15 Prozent geringeren Energieverbrauch im Vergleich zu 10LPE (Low Power Early), seiner ersten Generation der 10-nm-Fertigung. Da es auf einem bereits praxisbewährten Verfahren aufbaut, soll es Wettbewerbsvorteile bringen durch den stark verringerten Zeitraum von der Entwicklung zur Serienproduktion – und schon beim Hochfahren der Produktion eine deutlich höhere Produktionsausbeute.

„Durch die Umstellung von 10LPE auf 10LPP werden wir unseren Kunden mehr Vorteile bieten können mit verbesserter Performance und einer höheren anfänglichen Ausbeute“, lässt sich Ryan Lee zitieren, als Vice President für das Marketing von Samsungs Foundry-Sparte verantwortlich. „Mit seiner langfristigen Strategie des 10-nm-Verfahrens wird Samsung an der weiteren Entwicklung der 10-Nanometer-Technologie hinab zu 8LPP arbeiten, um den Kunden klare wettbewerbliche Vorteile für eine breite Palette von Anwendungen anzubieten.“

Samsungs neues Halbleiterwerk S3 in Hwaseong (Bild: Samsung)Samsungs neues Halbleiterwerk S3 in Hwaseong (Bild: Samsung)

Samsung meldet weiterhin die Fertigstellung seiner neuesten Fabrik S3 im koreanischen Hwaseong. Sie steht bereit, um die Fertigung in 10 Nanometer und niedriger anlaufen zu lassen. S3 ergänzt als dritte Fabrik von Samsungs Foundry-Geschäft S1 im koreanischen Giheung und S2 in Austin im US-Bundesstaat Texas.

In Hwaseong hat der Elektronikkonzern Investitionen in Höhe von 6 Billionen Won (4,7 Milliarden Euro) angestoßen, um die dortige Infrastruktur für seine Halbleiterfertigung zu erneuern. In S3 will er dort auch mit 7 Nanometer-EUV durchstarten.

ANZEIGE

Aktuelle Studie zur Dokumentensicherheit in deutschen Büros

Eine aktuelle Statista-Umfrage (im Auftrag von KYOCERA Document Solutions) hat ergeben: Der deutsche Mittelstand hat Nachholbedarf beim Thema Dokumentensicherheit. Mehr als die Hälfte der befragten Mitarbeiter hat Zugriff auf Dokumente, die nicht für sie bestimmt sind. Weitere Infos und Tipps zur Optimierung erhalten Sie im gratis E-Book.

Mit dem als EUV (Extreme Ultra Violet) bezeichneten Lithografieverfahren will Samsung Kosten wie Komplexität der Chipherstellung verringern und damit einen Vorsprung gegenüber dem Mitbewerb herausholen. Samsung befindet sich hier als Auftragsfertiger im Wettlauf mit der taiwanischen Chipschmiede TSMC, die ebenfalls im nächsten Jahr mit EUV durchstarten will.

Themenseiten: Prozessoren, Samsung

Fanden Sie diesen Artikel nützlich?
Content Loading ...
Whitepaper

ZDNet für mobile Geräte
ZDNet-App für Android herunterladen Lesen Sie ZDNet-Artikel in Google Currents ZDNet-App für iOS

Artikel empfehlen:

Neueste Kommentare 

Noch keine Kommentare zu Samsung startet verbesserte 10-Nanometer-Fertigung

Kommentar hinzufügen

Schreibe einen Kommentar

Deine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind markiert *