SK Hynix stellt Grafik-DRAM der sechsten Generation vor

GDDR6-RAM verdoppelt die I/O-Datenrate pro Pin auf 16 Gbit/s. High-End-Grafikarten sollen sogar eine Bandbreite von bis zu 768 GByte pro Sekunde erreichen. Trotzdem soll die Betriebsspannung um 10 Prozent sinken.

SK Hynix hat den nach eigenen Angaben schnellsten Grafik-DRAM vorgestellt. Die 8 Gbit großen Bausteine vom Typ Graphics DDR6 (GDDR6) arbeiten nach Unternehmensangaben mit einer I/O-Datenrate per Pin von 16 Gbit/s. High-End-Grafikkarten mit 384-Bit I/Os sollen so pro Sekunde bis zu 768 GByte Grafikdaten verarbeiten können.

GDDR6-Speicherchip (Bild: SK Hynix)Die Bandbreite pro Pin seiner GDDR5-Bausteine spezifiziert SK Hynix mit 8 Gbit/s. Daraus ergibt sich derzeit eine maximale Übertragungsrate von 32 GByte pro Sekunde. Trotz der doppelten Geschwindigkeit pro Pin soll die Betriebsspannung um 10 Prozent sinken.

„Mit der Vorstellung des branchenweit schnellsten GDDR6-Speichers wird SK Hynix proaktiv auf hochqualitative und hochperformante Grafikspeicherlösungen reagieren“, sagte Jonghoon Oh, Vice President und Leiter der Sparte DRAM-Produktentwicklung bei SK Hynix. „Wir werden unseren Kunden helfen, die Leistung ihrer High-End-Grafikkarten zu steigern.“

GDDR6 wird nach Einschätzung des Unternehmens vor allem für Wachstumsbereiche wie künstliche Intelligenz, Virtuelle Realität, selbstfahrende Fahrzeuge und Displays mit einer Auflösung von mehr als 4K benötigt. Zudem rechnet SK Hynix auch mit einem steigenden Bedarf an GDDR-Speicherbausteinen für Grafikkarten. Gartner schätze, dass die durchschnittliche DRAM-Speicherdichte von Grafikkarten von 2,2 GByte in diesem Jahr auf 4,1 GByte im Jahr 2021 ansteige. Das entspreche einem durchschnittlichen jährlichen Wachstum 17 Prozent.

Hergestellt werden die neuen Chips in einem 20-Nanometer-Verfahren. Die Massenfertigung soll rechtzeitig für eine Markteinführung der ersten High-End-Grafikkarten mit GDDR6-Speicher im Frühjahr 2018 starten. In diesem Zeitrahmen wollen auch Samsung und Micron mit der Produktion von GDDR6-RAM beginnen.

Eine weitere Neuentwicklung hatte das Unternehmen Anfang des Monats angekündigt. Mit dem weltweit ersten TLC-3D-NAND-Flash-Chip, der aus 72 Lagen besteht, erhöhte SK Hynix die Kapazität pro Chip auf 32 GByte. Auch hier überholte der südkoreanische Anbieter seine Mitbewerber Samsung und Toshiba, die derzeit 64-lagige Bausteine fertigen beziehungsweise die Produktion in Kürze auf 64 Lagen umstellen werden.

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[mit Material von Cho Mu-Hyun, ZDNet.com]

Themenseiten: Grafikchips, Hynix, Speicher

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