Qualcomm nennt weitere Details zu Snapdragon 835

Der 10-Nanometer-Chip bietet 27 Prozent mehr Leistung als sein Vorgänger Snapdragon 820. Den Energieverbrauch senkt Qualcomm um bis zu 40 Prozent. Das SoC unterstützt die Wiedergabe und Aufnahme von 4K-Inhalten mit 60 Bildern pro Sekunde.

Qualcomm hat weitere technische Details zu seinem kommenden Flaggschiff-Prozessor Snapdragon 835 veröffentlicht. Er wird in einem zusammen mit Samsung entwickelten 10-Nanometer-Verfahren hergestellt. Unter anderem die kleineren Strukturen steigern nach Unternehmensangaben die Rechenleistung gegenüber dem Vorgänger Snapdragon 820 um bis zu 27 Prozent und senken den Energieverbrauch um bis zu 40 Prozent.

Der geringe Energiebedarf soll eine ununterbrochene Gerätenutzung von bis zu 11 Stunden ermöglichen. Eine Akkuladung soll zudem für sieben Stunden Media-Streaming reichen. 4K-Inhalte lassen sich für über vier Stunden hinweg aufnehmen. Virtual-Reality-Gaming soll indes zwei Stunden lang möglich sein, ohne das Gerät mit einer Stromquelle zu verbinden.

Der Snapdragon 835 (rechts) ist aufgrund des neuen 10-Nanometer-Verfahrens deutlich kleiner als sein Vorgänger Snapdragon 820 (links) (Bild: Qualcomm).Der Snapdragon 835 (rechts) ist aufgrund des neuen 10-Nanometer-Verfahrens deutlich kleiner als sein Vorgänger Snapdragon 820 (links) (Bild: Qualcomm).Wichtigster Bestandteil des System-on-a-Chip sind die acht Kryo-280-CPU-Kerne. Sie basieren auf der ARM-Cortex-Technologie und erreichen bis zu 2,45 GHz. Qualcomm teilt die acht Kerne in zwei Vierkern-Cluster, von denen einer auf Leistung und der andere auf Effizienz getrimmt wurde. Letztere erreichen nur eine Taktrate von 1,9 GHz. Sie müssen sich zudem mit einem statt zwei MByte Level-2-Cache zufriedengeben.

Der neue Grafikprozessor Adreno 540 kann 60-mal mehr Farben darstellen als sein Vorgänger. Beim Grafikrendering bietet er eine um 25 Prozent höhere Leistung. Zudem unterstützt er DirectX 12, OpenGL ES und die neue Grafikschnittstelle Vulkan.

Der Display-Prozessor (DPU) soll Panels mit einem erweiterten Farbraum ansteuern und Inhalte mit einer Farbtiefe von 10 Bit sowie mit 60 Bildern pro Sekunde darstellen. Der Video-Prozessor (VPU) wiederum unterstützt die Wiedergabe von 4K-Videos im HEVC-Format, ebenfalls mit einer Farbtiefe von 10 Bit.

Eine Q-Sync genannte Technik erlaubt es dem Display eines Geräts mit Snapdragon 835, Inhalte mit derselben Bildrate darzustellen wie die GPU. Der neue Mobilprozessor soll aber auch helfen, die Qualität von Kamerafunktionen wie Zoom und Focus zu verbessern. Die elektronische Bildstabilisierung EIS 3.0 sowie separate Schwarzweiß- und Farbsensoren werden ebenfalls unterstützt.

Das integrierte LTE-Modem Snapdragon X16 erlaubt Gigabit-Übertragungsraten in 4G-Netzen. Die Qualcomm Secure Execution Environment soll zudem die Sicherheit von Geräten verbessern, die auf dem Snapdragon 835 basieren. Neu ist auch eine Funktion namens App Protect, die die Integrität von Apps und Betriebssystem prüft.

Das Element Secure Camera soll biometrische Sicherheitsprüfungen vereinfachen. Gerätehersteller sollen ihre Geräte künftig nicht nur mit Fingerabdrucksensoren, sondern auch mit Iris-Scannern ausstatten können. Darüber hinaus unterstützt der Chip NFC, USB 3.1, Kameras mit bis zu 32 Megapixeln, Bluetooth 5.0 und den WLAN-Standard 802.11ac Wave 2.

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Die Produktion des Snapdragon 835 ist nach Unternehmensangaben bereits angelaufen. Erste Geräte sollen im Lauf des ersten Halbjahrs 2017 in den Handel kommen. Gerüchten zufolge wird Samsung sein kommendes Premium-Smartphone Galaxy S8 mit dem Snapdragon 835 ausstatten. Einen Nachfolger des eigenen High-End-SoC Exynos 8 Octa 8890, das unter anderem das Galaxy S7 antreibt, hat Samsung noch nicht angekündigt.

Qualcomm und Samsung hatten den Snapdragon 835 bereits im November gemeinsam vorgestellt, ohne jedoch technische Details zu nennen. Die lieferten Anfang der Woche durchgesickerte Präsentationsfolien, deren Echtheit Qualcomm nun bestätigt hat.

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[mit Material von Charlie Osborne, ZDNet.com]

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