Samsung und SAP eröffnen Forschungszentrum

Das gemeinsame Zentrum für Forschung und Entwicklung befindet sich in der südkoreanischen Stadt Hwaseong. Die Zusammenarbeit der beiden Unternehmen soll die In-Memory-Technologie voranbringen. SAP verspricht sich davon leistungsfähigere Lösungen für Kunden, die seine HANA-Plattform nutzen.

Samsung und SAP haben ein gemeinsames Zentrum für Forschung und Entwicklung in der südkoreanischen Stadt Hwaseong eröffnet Die dort beschäftigten Mitarbeiter sollen sich auf Speicherlösungen für In-Memory-Computing der nächsten Generation konzentrieren.

Die Einrichtung des Forschungszentrums erfolgte im Rahmen einer erweiterten Partnerschaft der beiden Konzerne. Mit ihrer Zusammenarbeit wollen sie die In-Memory-Technologie voranbringen, die schnellere Datenverarbeitung und aufschlussreichere Analysen schnell wachsender Datenmengen erlaubt. DRAM der nächsten Generation soll zu neuen Lösungen für die Kunden führen. Auch auf die Vermarktung soll sich die Zusammenarbeit der Partner erstrecken.

Einweihung des Forschungszentrums in Hwaseong (Bild: Samsung)Einweihung des Forschungszentrums in Hwaseong (Bild: Samsung)

Weltweiten Kunden wollen die Partner im neuen Forschungszentrum optimierte In-Memory-Lösungen präsentieren. Das soll umfangreiche technische Unterstützung sowie Testläufe der SAP-HANA-Plattform einschließen. Kunden sollen außerdem Samsungs aktuellste hochdichte und hochperformante Speicherlösungen evaluieren können.

„Mit unserer aktuellen DRAM-Technik der 10-nm-Klasse wird Samsung Electronics in der Lage sein, in höchst effizienter Weise fortgeschrittenere Lösungen für die nächste Generation des SAP-In-Memory-Systems bereitzustellen“, lässt sich dazu der für Samsungs Speichergeschäft verantwortliche Young-Hyun Jun zitieren. Samsung werde durch ständige Innovation seine technologische Führung im Speichermarkt mit hoher Dichte festigen. „Zusammen mit Samsung Electronics werden wir die nächste Generation von In-Memory-Lösungen für Kunden entwickeln, die die SAP-HANA-Plattform nutzen“, sekundierte Adaire Fox-Martin, President von SAP Asia Pacific Japan.

Das Serversystem im Forschungszentrum nutzt eine In-Memory-Plattform mit 24 TByte, die auf Samsungs 128-GByte-DRAM-Modulen vom Typ DDR4 3DS basiert, die im 20-Nanometer-Verfahren hergestellt wurden. Im nächsten Jahr sollen 256-GByte-3DS-DRAM-Module der 10-nm-Klasse zum Einsatz kommen, um die insgesamte Systemleistung und Energieeffizienz weiter zu verbessern.

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