Samsung stellt V-NAND, 32-TByte-SAS-SSD und Z-SSD vor

Samsung hat neben seiner vierten V-NAND-Generation, die 30 Prozent mehr Layer mit Cell Arrays als ihr Vorgänger stapelt, eine SAS SSD mit 32 Terabyte, ein 1TB BGA SSD und die Z-SSD vorgestellt, die sich durch eine extrem niedrige Latenz auszeichnen soll.

Samsung hat auf dem Flash Memory Summit 2016 im kalifornischen Santa Clara eine Reihe leistungsfähiger SSDs (Solid State Drives) bis 32 Terabyte für den Unternehmenseinsatz, eine neue Lösung für flashbasierte Storage-Systeme und die vierte Generation seines Vertical NAND (V-NAND) vorgestellt.
Samsung will damit den wachsenden Speicheranforderungen aus den Bereichen Big-Data-Netzwerke, Cloud Computing und Echtzeitanalyse weiter gerecht werden.

„Mit unserer V-NAND-Technologie der vierten Generation können wir führende differenzierte Werte in Sachen Speicherkapazität, Leistungsfähigkeit und Produktabmessungen bieten, die insgesamt dazu beitragen, dass unsere Kunden bessere TCO-Ergebnisse erzielen,“ sagt Young-Hyun Jun, President des Memory Business bei Samsung Electronics. „Wir werden auch in Zukunft weiterentwickelte V-NAND-Lösungen vorstellen und unsere Flash-Business-Programme erweitern, indem wir eine unschlagbare Kombination aus Leistungsfähigkeit und Wertschöpfung maximieren.“

Samsung 32TB SAS SSD (Bild: Samsung)Samsung 32TB SAS SSD (Bild: Samsung)

Entsprechend hat Samsung im Rahmen der Veranstaltung sein 64-Layer-Triple-Level-Cell-V-NAND-Flash-Memory der vierten Generation vorgestellt, das neue Maßstäbe hinsichtlich NAND-Skalierung, Leistungsfähigkeit und Speicherkapazität setzen soll. Mit 64 Lagen von übereinander gestapelten Cell Arrays kann das neue V-NAND seine Single-Die-Dichte auf 512 GBit und seine I/O-Geschwindigkeit auf 800 MByte/s steigern. Seit August 2013 hat Samsung drei Generationen von V-NAND-Produkten mit 24, 32 und 48 Lagen Vertical Cell-Array Stacking-Technologien eingeführt. Das Unternehmen plant, die weltweit ersten 64-Layer-V-NAND Flash-Memory-Produkte der vierten Generation im vierten Quartal des Jahres auszuliefern.

Samsungs neuestes Serial Attached SCSI (SAS) SSD basiert bereits auf besagten 512-Gigabit-V-NAND-Chips. Insgesamt sind 512 V-NAND-Chips in 16 Lagen übereinander gestapelt, um ein 1-Terabyte-Package zu bilden.

Samsung 1TB BGA SSD (Bild: Samsung)Samsung 1TB BGA SSD (Bild: Samsung)

Das neue 32-Terabyte-SSD 32TB SAS SSD enthält 32 dieser Packages. Durch den Einsatz des neuen V-NAND-Designs der vierten Generation kann die Platte Samsung zufolge den System-Platzbedarf um das 40fache gegenüber einem System gleichen Typs mit zwei Racks mit HDDs (Hard Disk Drives) reduzieren. Das 32TB SAS SSD wird im 2,5-Zoll-Formfaktor angeboten und soll 2017 in Produktion gehen. Die Samsung PM1633a mit 15 TByte, die bis dato größte verfügbaren SSD, ist inzwischen bei Online-Händlern für rund 10.000 Dollar erhältlich. Samsung erwartet, dass SSDs mit über 100 TByte Speicherkapazität im Jahr 2020 zur Verfügung stehen werden.

Neu ist auch das 1TB BGA SSD im extrem kompakten BGA-Gehäusedesign (Ball Grid Array), das alle erforderlichen SSD-Komponenten einschließlich Triple-Level-Cell V-NAND Flash-Chips, LPDDR4 Mobile DRAM und einen Controller von Samsung enthält. Das SSD-Laufwerk liest mit 1.500 MB/s beziehungsweise schreibt mit 900 MB/s. Da die Abmessungen gegenüber seinem Vorgänger um bis zu 50 Prozent verringert werden konnten, wiegt das SSD nur etwa ein Gramm und eignet sich – so der Hersteller – damit ideal für ultrakompakte Notebooks, Tablets und Convertibles der nächsten Generation.

Für nächstes Jahr plant Samsung die Vorstellung eines 1TB BGA SSD mit einer High-Density Packaging-Technologie namens „FO-PLP“ (Fan-out Panel Level Packaging), die Samsung Electronics zusammen mit Samsung Electro-Mechanics entwickelt hat.

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Von den Mainframes der 1960er-Jahre bis zur gegenwärtigen cloud-orientierten Entwicklung haben sich Rechenzentren enorm gewandelt. Als Anwendungen missionskritisch wurden und Desktop-Server in professionelle Rechenzentren umgezogen wurden, nahm die Anzahl physischer Server in den Rechenzentren exponentiell zu.

Letzte Neuvorstellung ist die Z-SSD, die sich durch eine extrem niedrige Latenz auszeichnen soll. Die Z-SSD weist die grundlegende Struktur von V-NAND auf und verfügt über ein einzigartiges Schaltungsdesign beziehungsweise einen Controller zur Maximierung der Leistungsfähigkeit. Erreicht wird eine vier Mal schnellere Latenz und 1,6 Mal schnelleres sequenzielles Lesen gegenüber der Samsung PM963 NVMe (NVM Express respektive Non-Volatile Memory Express) SSD.

Samsung Z-SSD (Bild: Samsung)Samsung Z-SSD (Bild: Samsung)

Die Z-SSD ist für Systeme gedacht, die extrem intensive Echtzeitanalysen durchführen und allen Arten von Arbeitslasten eine hohe Leistungsfähigkeit zur Verfügung stellen müssen.

Auch Seagate hat auf dem Flash Memory Summit mit der 60 TB SAS SSD und der 8 TB Nytro XP7200 zwei neue Flash-Produkte vorgestellt, die für den Einsatz in Rechenzentren ausgelegt sind. Die 60 TB SAS SSD, die sich zurzeit noch im Demonstrationsstadium befindet, wird voraussichtlich im Laufe des Jahres 2017 verfügbar gemacht. Die 8 TB Nytro XP7200 NVMe SSD soll Ende 2016 über Seagates Channel-Partner angeboten werden. Zu den Preisen liegen noch keine Informationen vor.

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